AO6604 AO6608 PJS6601 PDQ3714 Si3585CDV MOSFET de potencia media y baja
Descripción general del producto MOSFET
El voltaje BVDSS de AOS AO6604 es de 20 V -20 V, el ID de corriente es de 3,4 A -2,5 A, la resistencia interna RDSON es de -115 mΩ
El voltaje BVDSS de AOS AO6608 es de 30 V -20 V, el ID de corriente es de 3,4 A -3,3 A, la resistencia interna RDSON es de 135 mΩ
El voltaje BVDSS de PANJIT PJS6601 es 20 V 20 V, el ID de corriente es 4,1 A -3,1 A, la resistencia interna RDSON es 95 mΩ
El voltaje BVDSS de POTENS PDQ3714 es de 30 V -30 V, el ID de corriente es de 4 a -3 A, la resistencia interna RDSON es de 65 mΩ
El voltaje BVDSS de VISHAY Si3585CDV es de 20 V -20 V, el ID de corriente es de 3,9 A -2,1 A, la resistencia interna RDSON es de 48 mΩ
número de material correspondiente
El voltaje BVDSS de WINSOK WST2078 FET es 20 V-20 V, el ID actual es 3,8 A -4,5 A, la resistencia interna RDSON es 45 mΩ 65 mΩ, canal N&P y el paquete es SOT-23-6L.
Campos de aplicación MOSFET
FET de cigarrillos electrónicos, FET de controlador, FET de productos digitales, FET de pequeños electrodomésticos, FET de electrónica de consumo.
