AON6661 AON6667 AOND32324 PJQ5606 PDC3701T MOSFET de potencia de media y baja tensión
Descripción general del producto MOSFET
El voltaje BVDSS de AOS AON6661 es de 30 V -30 V, el ID de corriente es de 16 A -16 A y la resistencia interna RDSON es de 35 mΩ.
El voltaje BVDSS de AOS AON6667 es de 30 V -30 V, el ID de corriente es de 16 A -16 A y la resistencia interna RDSON es de 35 mΩ.
El voltaje BVDSS de AOS AOND32324 es de 30 V -30 V, el ID de corriente es de 16 A -16 A y la resistencia interna RDSON es de 19,5 mΩ.
El voltaje BVDSS de PANJIT PJQ5606 es de 30 V -30 V, el ID de corriente es de 25 A -22 A y la resistencia interna RDSON es de 28 mΩ.
El voltaje BVDSS del POTENS PDC3701T es de 30 V -30 V, el ID de corriente es de 23,3 A y 15,2 A y la resistencia interna RDSON es de 29 mΩ.
número de material correspondiente
El voltaje BVDSS de WINSOK WSD3023DN56 FET es 30V/-30V, el ID actual es 14A/-12A, la resistencia interna RDSON es 14mΩ/23mΩ, N-Ch y P-Channel, y el paquete es DFN5*6-8.
Campos de aplicación MOSFET
MOSFET UAV, MOSFET de motor, MOSFET de electrónica automotriz y MOSFET de electrodomésticos grandes.
