Los bancos de energía portátiles (también conocidos como cargadores portátiles) se utilizan ampliamente para diversos dispositivos electrónicos.Con los avances en la tecnología de baterías, se espera que los futuros bancos de energía sean más livianos, tengan mayor capacidad y ofrezcan velocidades de carga más rápidas.Las funciones inteligentes y la multifuncionalidad también serán áreas de desarrollo clave para satisfacer la creciente demanda de soluciones energéticas móviles.
Los MOSFET en bancos de energía portátiles (cargadores portátiles) enfrentan desafíos en cuanto a eficiencia y durabilidad.Los problemas clave incluyen pérdida de energía, gestión insuficiente del calor y problemas de confiabilidad bajo cargas elevadas, que limitan el rendimiento y la vida útil de los bancos de energía.WINSOKMOSFET puede ayudarle a resolver los problemas anteriores.
Aplicaciones MOSFET WINSOK de media y baja tensión en fuentes de alimentación móviles, principales modelos de aplicación:
| Número de pieza | Configuración | Tipo | VDS | identificación (A) | VGS(th)(v) | RDS(ENCENDIDO)(mΩ) | ciss | Paquete | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Máx. | Mín. | Tipo. | Máx. | Tipo. | Máx. | (pF) | ||||
| Soltero | N-Ch | 30 | 5.6 | 0,5 | 0,8 | 1 | - | - | 525 | SOT-23N | |
| Soltero | N-Ch | 20 | 5.9 | 0.3 | 0,5 | 1.2 | - | - | 395 | SOT-23-3L | |
| Soltero | N-Ch | 30 | 5.5 | 1 | 1.4 | 2 | 26 | 32 | 391 | SOT-23-3L | |
| Soltero | P-Ch | -20 | -7.1 | -0,5 | -0,5 | -1 | - | - | 2000 | SOT-23-3L | |
| Soltero | P-Ch | -30 | -5.1 | -0,7 | -1 | -1.3 | - | 43 | 826 | SOT-23-3L | |
| Soltero | P-Ch | -30 | -120 | -1.2 | -1,5 | -2.5 | 2.9 | 3.6 | 6100 | DFN5X6-8 | |
| Soltero | N-Ch | 30 | 12 | 1.2 | 1.9 | 2.5 | 9.5 | 12 | 770 | POE-8 | |
| Doble+ESD | N-Ch | 20 | 7.2 | 0,5 | 0,7 | 1.2 | - | - | 615 | POE-8 | |
| Doble+ESD | N-Ch | 20 | 7.5 | 0,5 | 0,7 | 1.1 | - | - | 620 | POE-8 | |
| Soltero | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | POE-8 | |
| Soltero | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | POE-8 | |
| Doble | P-Ch | -20 | -5,8 | -0,6 | -1.1 | -1,7 | 40 | 65 | 625 | POE-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | POE-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Soltero | P-Ch | -30 | -sesenta y cinco | -1 | -1,6 | -2.5 | 7.5 | 9.5 | 3448 | A-252 | |
Otros números de material de marca correspondientes al WINSOK MOSFET anterior son:
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WST3400S son: AOS AO3400,AO3400A,AO3404.VISHAY Si2374DS.TOSHIBA SSM3K345R.Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8,ZXMC3A18DN8,DMC3032LSD,DMC3016LSD.Sinopower SM2314NSA.Potens Semiconductor P DN3643.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WST2316 son: AOS AO3420.Potens Semiconductor PDN2318S.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WST3408 son: AOS AO3404,AO3404A,AO3406,AO3454,AO3456.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.VISHAY Si2366DS,Si2336DS.STMicroelectronics STR2N2VH5.Nxperian PMV25ENEA.TOSHIBA SSM3K333R,SSM3 K335R.PANJIT PJA3404,PJA3404A.APEC AP2316GN, AP2326GN.Diodos incorporados ZXMN3F30FH.Sinopower SM2308NSA,SM2304NSA.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3612S.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WST2339 son: AOS AO3413,AO3415A,AO3415A,AO3419,AO3423,AO3435,AO3493,AO3495,AO3499,AO21115C.VISHAY Si2399DS.TOSHIBA SSM3J355R.Sinopower SM2335PSA.Potens Semiconductor PDN2309S.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WST3409 son: AOS AO3401,AO3401A,AO3453,AO3459.VISHAY Si2343CDS.TOSHIBA SSM3J332R,SSM3J372R.Sinopower SM2315PSA.NIKO-SEM P5103EMG.Potens Semiconductor PDN2309S.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSD30L120DN56 son: AOS AON6403, AON6407, AON6411.PANJIT PJQ5427.Potens Semiconductor PDC3901X.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSP4406 son: AOS AO4406A,AO4306,AO4404B,AO4466,AO4566.Onsemi,FAIRCHILD NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STMicroelectronics STS11NF30L.INFINEON,IR BSO110N03MS G.TOSHIBA TP89R103NL. PANJIT PJL9412.Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK .NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconductor PDS3908.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSP9926 son: AOS AO9926B,AO9926C.Onsemi,FAIRCHILD FDS6890A,FDS6892A,FDS6911.VISHAY Si9926CDY.Potens Semiconductor PDS3808.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSP9926A son: AOS AO9926B,AO9926C.Onsemi,FAIRCHILD FDS6890A,FDS6892A,FDS6911.VISHAY Si9926CDY.INFINEON,IR BSO330N02K G.Sinopower SM9926DSK.Potens Semiconductor PDS3810.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSP4435 son: AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,AO4807,AO4813.Onsemi,FAIRCHILD FDS4465BZ,FDS6685.VISHAY Si4 431CDY.STMicroelectrónica STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSP4407 son: AOS AO4407,4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA T PC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA, P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSP4953A son: AOS AO4801,AO4801A,AO4803,AO4803A.Onsemi,FAIRCHILD NTMS5P02.VISHAY Si9933CDY.STMicroelectronics STS4DPF20L.TOSHIBA TPC8129.ROHM QH8JA1.PANJIT PJL9801.APEC AP2P0 28EM,AP4413GM.Diodos Incorporados ZXMP3A16N8.NIKO- SEM PV521BA.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSP4606 son: AOS AO4606,AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9602.Sinopower SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710 .
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSF70P03 son: AOS AOD21357,AOD403,AOD423.Onsemi,FAIRCHILD NVATS4A103PZ.VISHAY SUD50P04.STMicroelectronics STD37P3H6AG,STD40P3LLH6.TOSHIBA TJ60S04M3L.PANJIT PJD70P03.A PEC AP3P9ROH,AP6679BGH.NIKO-SEM PZ0703ED,PD537BA.Potens Semiconductor PDD3959.
Hora de publicación: 24 de noviembre de 2023
