La tecnología de carga rápida, como parte central de los equipos electrónicos modernos, se está desarrollando y evolucionando rápidamente. Impulsadas por el mercado de la carga rápida, industrias como la de los teléfonos inteligentes y los vehículos eléctricos exigen cada vez más soluciones de carga rápidas y eficientes. La innovación en tecnología de carga rápida no sólo se centra en mejorar la velocidad de carga, sino que también pone énfasis en la seguridad. De cara al futuro, la tecnología de carga rápida se combinará con la carga inalámbrica y una tecnología de batería más eficiente para lograr un salto cualitativo y brindar a los usuarios una experiencia de carga más conveniente y respetuosa con el medio ambiente. Con el desarrollo de la tecnología y la expansión del mercado, se espera que la industria de la carga rápida continúe manteniendo un rápido crecimiento.
Cuando hablamos de la aplicación deMOSFETEn la tecnología de carga rápida, en realidad existen varios dolores de cabeza.
En primer lugar, debido a que la carga rápida requiere una gran corriente, elMOSFETSe calentará mucho y cómo lidiar con este calor se convierte en un gran problema. Luego, también existen desafíos de eficiencia. Al cambiar rápidamente, el MOSFET pierde fácilmente parte de su energía, lo que afecta la eficiencia de carga. Además, los equipos de carga rápida esperan que sean lo más pequeños posible, pero para ello es necesario que el MOSFET sea pequeño y que además afronte el problema del calor. Debido a que el MOSFET cambia rápidamente, puede interferir con otros equipos electrónicos, lo que también es un problema. Finalmente, el entorno de carga rápida tiene altos requisitos en cuanto al voltaje y la corriente soportados de los MOSFET, lo que es una prueba de su rendimiento. Trabajar en este entorno durante mucho tiempo también puede afectar su vida útil y confiabilidad. En resumen, aunque el MOSFET es fundamental para la carga rápida, enfrenta muchos desafíos.
WINSOKMOSFET puede ayudarle a resolver los problemas anteriores. Los principales modelos de aplicación de WINSOK MOSFET en carga rápida son:
| Número de pieza | Configuración | Tipo | VDS | identificación (A) | VGS(th)(v) | RDS(ENCENDIDO)(mΩ) | ciss | Paquete | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Máx. | Mín. | Tipo. | Máx. | Tipo. | Máx. | (pF) | ||||
| Soltero | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Soltero | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1,8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Soltero | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | POE-8 | |
| Soltero | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | POE-8 | |
| Soltero | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | POE-8 | |
| Soltero | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | POE-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | POE-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Soltero | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | A-220 | |
Otros números de material de marca correspondientes al WINSOK MOSFET anterior son:
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSD3050DN son: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN9R8 -30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSD30L40DN son: AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSP6020 son: AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSP16N10 son: AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSP4435 son: AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,AO4807,AO4813.Onsemi,FAIRCHILD FDS4465BZ,FDS6685.VISHAY 4431CDY.ST Microelectrónica STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 , STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSP4407 son: AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectrónica STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSH IBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA , P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSP4606 son: AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM4901CSK.NIKO-S EM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. ELECTRÓNICA DINTEK DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Los números de material correspondientes de WINSOK MOSFET WSR80N10 son: AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectrónica STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G, IPP086N10N3 G.NXP PSMN9R5-100PS.TOSH IBA TK100E08N1, TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Hora de publicación: 28 de noviembre de 2023
