FDC634P Si3443DDV PMDT670UPE MOSFET de potencia media y baja
Descripción general del producto MOSFET
EN FDC634P, el voltaje BVDSS es -20 V, la ID de corriente es -3,5 A, la resistencia interna RDSON es 80 mΩ
El voltaje BVDSS de VISHAY Si3443DDV es -20 V, el ID de corriente es -4 A, la resistencia interna RDSON es 90 mΩ
El voltaje BVDSS de NXP PMDT670UPE es -20 V, el ID de corriente es 0,55 A, la resistencia interna RDSON es 850 mΩ
número de material correspondiente
El voltaje BVDSS de WINSOK WST2011 FET es -20 V, el ID actual es -3,2 A, la resistencia interna RDSON es 80 mΩ, canal P dual y el paquete es SOT-23-6L.
Campos de aplicación MOSFET
MOSFET de cigarrillos electrónicos, MOSFET de controlador, MOSFET de productos digitales, MOSFET de pequeños electrodomésticos, MOSFET de electrónica de consumo.
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