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¡La diferencia entre MOSFET de canal N y MOSFET de canal P! ¡Le ayudaremos a elegir mejor los fabricantes de MOSFET!
Los diseñadores de circuitos deben haber considerado una pregunta al elegir los MOSFET: ¿deberían elegir MOSFET de canal P o MOSFET de canal N? Como fabricante, debe querer que sus productos compitan con otros comerciantes a precios más bajos, y también...Leer más -
Explicación detallada del diagrama del principio de funcionamiento de MOSFET | Análisis de la estructura interna de FET.
MOSFET es uno de los componentes más básicos de la industria de los semiconductores. En circuitos electrónicos, MOSFET se usa generalmente en circuitos amplificadores de potencia o circuitos de fuente de alimentación conmutados y se usa ampliamente. A continuación, OLUKEY le dará un...Leer más -
¡Olukey te explica los parámetros de MOSFET!
Como uno de los dispositivos más básicos en el campo de los semiconductores, el MOSFET se utiliza ampliamente tanto en el diseño de circuitos integrados como en aplicaciones de circuitos a nivel de placa. Entonces, ¿cuánto sabes sobre los distintos parámetros de MOSFET? Como especialista en media y baja...Leer más -
Olukey: hablemos del papel de MOSFET en la arquitectura básica de carga rápida
La estructura básica de suministro de energía del control de calidad de carga rápida utiliza SSR de rectificación síncrona flyback + lado secundario (secundario). Para los convertidores flyback, según el método de muestreo de retroalimentación, se puede dividir en: lado primario (prima...Leer más -
¿Cuánto sabes sobre los parámetros MOSFET? OLUKEY lo analiza por ti
"MOSFET" es la abreviatura de Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico. Es un dispositivo fabricado con tres materiales: metal, óxido (SiO2 o SiN) y semiconductor. MOSFET es uno de los dispositivos más básicos en el campo de los semiconductores. ...Leer más -
¿Cómo elegir MOSFET?
Recientemente, cuando muchos clientes vienen a Olukey para consultar sobre MOSFET, harán una pregunta: ¿cómo elegir un MOSFET adecuado? Respecto a esta pregunta, Olukey la responderá para todos. En primer lugar, debemos entender el principio...Leer más -
Principio de funcionamiento del MOSFET en modo de mejora de canal N
(1) El efecto de control de vGS en ID y canal ① Caso de vGS = 0 Se puede ver que hay dos uniones PN consecutivas entre el drenaje d y la fuente s del MOSFET en modo de mejora. Cuando el voltaje puerta-fuente vGS = 0, incluso si...Leer más -
La relación entre el empaque de MOSFET y los parámetros, cómo elegir FET con el empaque apropiado
①Embalaje enchufable: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Tipo de montaje en superficie: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Diferentes formas de embalaje, el límite correspondiente de corriente, voltaje y efecto de disipación de calor de MO...Leer más -
¿Qué significan los tres pines G, S y D del MOSFET empaquetado?
Este es un sensor infrarrojo piroeléctrico MOSFET empaquetado. El marco rectangular es la ventana de detección. El pin G es el terminal de tierra, el pin D es el drenaje interno del MOSFET y el pin S es la fuente interna del MOSFET. En el circuito...Leer más -
La importancia del MOSFET de potencia en el desarrollo y diseño de placas base
En primer lugar, la disposición del zócalo de la CPU es muy importante. Debe haber suficiente espacio para instalar el ventilador de la CPU. Si está demasiado cerca del borde de la placa base, será difícil instalar el radiador de la CPU en algunos casos donde...Leer más -
Hable brevemente sobre el método de producción de un dispositivo de disipación de calor MOSFET de alta potencia.
Plan específico: un dispositivo de disipación de calor MOSFET de alta potencia, que incluye una carcasa de estructura hueca y una placa de circuito. La placa de circuito está dispuesta en la carcasa. Varios MOSFET uno al lado del otro están conectados a ambos extremos del circuito...Leer más -
Paquete FET DFN2X2 disposición de modelo de canal P único 20V-40V_WINSOK MOSFET
Paquete WINSOK MOSFET DFN2X2-6L, FET de canal P único, voltaje 20 V-40 V. Los modelos se resumen a continuación: 1. Modelo: WSD8823DN22 canal P único -20 V -3,4 A, resistencia interna 60 mΩ Modelos correspondientes: AOS:AON2403 ON Semiconductor: FDM ...Leer más
