NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH MOSFET DFN5X6-8 de canal N

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NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH MOSFET DFN5X6-8 de canal N

breve descripción:

Número de pieza:NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH

Canal:canal N

Paquete:DFN5X6-8


Detalle del producto

Solicitud

Etiquetas de producto

Descripción general del producto MOSFET

Onsemi NTMFS6B14N

VISHAY SiR84DP SiR87ADP

INFINEON IR BSC19N1NS3G

TOSHIBA TPH6R3ANL TPH8R8ANH

número de material correspondiente

El voltaje BVDSS de WINSOK WSD60N10GDN56 FET es 100 V, la corriente es 60 A, la resistencia es 8,5 mΩ, el canal es canal N y el paquete es DFN5X6-8.

Campos de aplicación MOSFET

MOSFET para cigarrillos electrónicos, MOSFET para carga inalámbrica, MOSFET para motores, MOSFET para drones, MOSFET para atención médica, MOSFET para cargadores de automóviles, MOSFET para controladores, MOSFET para productos digitales, MOSFET para pequeños electrodomésticos, MOSFET para electrónica de consumo.


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