MOSFET de canal N DFN5X6-8 Nxperian PSMN1R-4ULD POTENS PDC262X

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MOSFET de canal N DFN5X6-8 Nxperian PSMN1R-4ULD POTENS PDC262X

breve descripción:

Número de pieza:PSMN1R-4ULD PDC262X

Canal:canal N

Paquete:DFN5X6-8


Detalle del producto

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Etiquetas de producto

Descripción general del producto MOSFET

MOSFET PSMN1R-4ULD de Nxperian.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC262X.

número de material correspondiente

El voltaje BVDSS de WINSOK WSD25280DN56G FET es de 25 V, la corriente es de 280 A, la resistencia es de 0,7 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.

Campos de aplicación MOSFET

Punto de carga síncrono de alta frecuencia, convertidor reductor, sistema de alimentación DC-DC en red, aplicación de herramientas eléctricas, MOSFET de cigarrillos electrónicos, MOSFET de carga inalámbrica, MOSFET de drones, MOSFET de atención médica, MOSFET de cargadores de automóviles, MOSFET de controladores, MOSFET de productos digitales, MOSFET para pequeños electrodomésticos, MOSFET para electrónica de consumo.


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