RS1E281BN RS1E280BN RS1E280GN RS1E301GN RS1E321GN RS1E350BN RS1E350GN PK610SA PK510BA MOSFET
Descripción general del producto MOSFET
El voltaje BVDSS de ROHM RS1E281BN es de 30 V, el ID de corriente es de 80 A y la resistencia interna RDSON es de 2,3 mΩ.
El voltaje BVDSS de ROHM RS1E280BN es de 30 V, el ID de corriente es de 80 A y la resistencia interna RDSON es de 2,3 mΩ.
El voltaje BVDSS de ROHM RS1E280GN es de 30 V, el ID de corriente es de 80 A y la resistencia interna RDSON es de 2,6 mΩ.
El voltaje BVDSS de ROHM RS1E301GN es de 30 V, el ID de corriente es de 80 A y la resistencia interna RDSON es de 2,2 mΩ.
El voltaje BVDSS de ROHM RS1E321GN es de 30 V, el ID de corriente es de 80 A y la resistencia interna RDSON es de 2,1 mΩ.
El voltaje BVDSS de ROHM RS1E350BN es de 30 V, el ID de corriente es de 80 A y la resistencia interna RDSON es de 1,7 mΩ.
El voltaje BVDSS de ROHM RS1E350GN es de 30 V, el ID de corriente es de 80 A y la resistencia interna RDSON es de 1,76 mΩ.
El voltaje BVDSS del NIKO PK610SA es de 30 V, el ID de corriente es de 83 A y la resistencia interna RDSON es de 2,8 mΩ.
El voltaje BVDSS del NIKO PK510BA es de 30 V, el ID de corriente es de 86 A y la resistencia interna RDSON es de 3,3 mΩ.
número de material correspondiente
El voltaje BVDSS de WINSOK WSD30140DN56 FET es 30 V, el ID actual es 85 A, la resistencia interna RDSON es 1,7 mΩ, canal N y el paquete es DFN5*6-8.
Campos de aplicación MOSFET
FET de cigarrillos electrónicos, FET de carga inalámbrica, FET de drones, FET médico, FET de carga de automóviles, FET de controlador, FET de productos digitales, FET de pequeños electrodomésticos, FET de electrónica de consumo, etc.
