WSD100N06GDN56 MOSFET WINSOK de canal N 60V 100A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD100N06GDN56 es de 60 V, la corriente es de 100 A, la resistencia es de 3 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
MOSFET de suministros de energía médica, MOSFET de PD, MOSFET de drones, MOSFET de cigarrillos electrónicos, MOSFET de electrodomésticos grandes y MOSFET de herramientas eléctricas.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC692X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades | ||
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 60 | V | ||
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | V | ||
| ID1,6 | Corriente de drenaje continua | CT=25°C | 100 | A | |
| CT=100°C | 65 | ||||
| IDM2 | Corriente de drenaje pulsada | CT=25°C | 240 | A | |
| PD | Disipación de potencia máxima | CT=25°C | 83 | W | |
| CT=100°C | 50 | ||||
| NIC | Corriente de avalancha, pulso único | 45 | A | ||
| EAS3 | Energía de avalancha de pulso único | 101 | mJ | ||
| TJ | Temperatura máxima de unión | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Unión de resistencia térmica al ambiente | Estado estable | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Unión de resistencia térmica a la caja | Estado estable | 1.5 | ℃/W | |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad | |
| Estático | |||||||
| V(BR)DSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | V | |||
| IDSS | Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | mA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Corriente de fuga de puerta | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | |||
| Sobre las características | |||||||
| VGS(TH) | Voltaje de umbral de puerta | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS (encendido)2 | Resistencia en estado de fuente de drenaje | VGS = 10 V, ID = 20 A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 15 A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Traspuesta | |||||||
| Qg | Cargo total de puerta | VDS=30V VGS=10V Identificación=20A | 58 | nC | |||
| Qgs | Carga amarga en la puerta | 16 | nC | ||||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | 4.0 | nC | ||||
| td (encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VGEN=10V VDD=30V Identificación=20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | Tiempo de subida de encendido | 8 | ns | ||||
| td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | 50 | ns | ||||
| tf | Tiempo de caída de apagado | 11 | ns | ||||
| Rg | resistencia gat | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 0,7 | Ω | |||
| Dinámica | |||||||
| ciss | En capacitancia | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 3458 | pF | |||
| cos | Fuera de capacitancia | 1522 | pF | ||||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | 22 | pF | ||||
| Características del diodo de fuente de drenaje y clasificaciones máximas | |||||||
| ES1,5 | Corriente de fuente continua | VG=VD=0V, corriente de fuerza | 55 | A | |||
| ISMO | Corriente de fuente pulsada3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Voltaje directo del diodo | ISD = 1A, VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Tiempo de recuperación inversa | ISD=20A, dlSD/dt=100A/μs | 27 | ns | |||
| qrr | Cargo de recuperación inversa | 33 | nC | ||||
