MOSFET WINSOK de canal N 150V 100A DFN5X6-8 WSD100N15DN56G

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MOSFET WINSOK de canal N 150V 100A DFN5X6-8 WSD100N15DN56G

breve descripción:

Número de pieza:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

IDENTIFICACIÓN:100A

RDSON:6mΩ

Canal:canal N

Paquete:DFN5X6-8


Detalle del producto

Solicitud

Etiquetas de producto

Descripción general del producto WINSOK MOSFET

El voltaje del MOSFET WSD100N15DN56G es 150 V, la corriente es 100 A, la resistencia es 6 mΩ, el canal es canal N y el paquete es DFN5X6-8.

Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET

MOSFET de suministros de energía médica, MOSFET de PD, MOSFET de drones, MOSFET de cigarrillos electrónicos, MOSFET de electrodomésticos grandes y MOSFET de herramientas eléctricas.

Parámetros MOSFET

Símbolo

Parámetro

Clasificación

Unidades

VDS

Voltaje de drenaje-fuente

150

V

VGS

Voltaje puerta-fuente

±20

V

ID

Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V(TC=25℃)

100

A

IDM

Corriente de drenaje pulsada

360

A

EAS

Energía de avalancha de pulso único

400

mJ

PD

Disipación total de energía...C=25℃)

160

W

RθJA

Resistencia térmica, unión-ambiente

62

°C/W

RθJC

Resistencia térmica, caja de conexiones

0,78

°C/W

TSTG

Rango de temperatura de almacenamiento

-55 a 175

TJ 

Rango de temperatura de funcionamiento de la unión

-55 a 175

 

 

Símbolo

Parámetro

Condiciones

Mín.

Tipo.

Máx.

Unidad

BVDSS 

Voltaje de ruptura drenaje-fuente VGS=0V, yoD=250uA

150

---

---

V

RDS (encendido)

Resistencia estática de la fuente de drenaje2  VGS= 10 V, yoD=20A

---

9

12

VGS(ésimo)

Voltaje de umbral de puerta VGS=VDS, ID=250uA

2.0

3.0

4.0

V

IDSS

Corriente de fuga de la fuente de drenaje VDS=100V , VGS=0V, TJ= 25 ℃

---

---

1

uA

IGSS

Corriente de fuga puerta-fuente VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Cargo total de puerta VDS=50V , VGS= 10 V, yoD=20A

---

66

---

nC

Qgs 

Cargo puerta-fuente

---

26

---

Qgd 

Carga de drenaje de puerta

---

18

---

Td(encendido)

Tiempo de retardo de encendido VDD= 50 V,VGS=10V

RG=2Ω,

ID=20A

---

37

---

ns

Tr 

tiempo de subida

---

98

---

Td(apagado)

Tiempo de retardo de apagado

---

55

---

Tf 

tiempo de otoño

---

20

---

Ces 

Capacitancia de entrada VDS=30V , VGS=0V, f=1MHz --- 5450

---

pF

cos

Capacitancia de salida

---

1730

---

Crss 

Capacitancia de transferencia inversa

---

195

---


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