MOSFET WINSOK de canal N 20V 80A DFN5*6-8 WSD2090DN56

WSD2090DN56 MOSFET WINSOK de canal N 20V 80A DFN5*6-8 Imagen destacada

Breve descripción:

Número de modelo:WSD2090DN56

BVDSS:20V

RDSON:2,8 mΩ

IDENTIFICACIÓN:80A

Canal:canal N

Paquete:DFN5*6-8

Resumen del producto:El voltaje del MOSFET WSD2090DN56 es de 20 V, la corriente es de 80 A, la resistencia es de 2,8 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5*6-8.

Aplicaciones:Cigarrillos electrónicos, drones, herramientas eléctricas, pistolas fascias, PD, pequeños electrodomésticos, etc.

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Descripción general

El WSD2090DN56 es el MOSFET N-Ch de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RDSON y carga de compuerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono.El WSD2090DN56 cumple con los requisitos de RoHS y producto ecológico. 100% EAS garantizado con confiabilidad de funcionamiento total aprobada.

Características

Tecnología avanzada de zanja de alta densidad celular, carga de puerta súper baja, excelente disminución del efecto CdV/dt, 100% EAS garantizado, dispositivo ecológico disponible

Aplicaciones

Interruptor, sistema de energía, interruptor de carga, cigarrillos electrónicos, drones, herramientas eléctricas, pistolas de fascia, PD, pequeños electrodomésticos, etc.

número de material correspondiente

AOS AON6572

Parámetros importantes

Clasificaciones máximas absolutas (TC=25 ℃ a menos que se indique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Máx.	Unidades
VDSS	Voltaje de drenaje-fuente	20	V
VGSS	Voltaje puerta-fuente	±12	V
ID @ TC = 25 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1	80	A
ID @ TC = 100 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1	59	A
IDM	Corriente de drenaje pulsado nota1	360	A
EAS	Energía de avalancha de un solo impulso nota2	110	mJ
PD	Disipación de potencia	81	W
RθJA	Resistencia térmica, unión a caja	65	°C/W
RθJC	Caja de conexiones de resistencia térmica 1	4	°C/W
TJ, TSTG	Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento	-55 a +175	℃

Características eléctricas (TJ=25 ℃, a menos que se indique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Condiciones	mín.	tipo	máx.	Unidades
BVDSS	Voltaje de ruptura drenaje-fuente	VGS=0V, ID=250μA	20	24	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referencia a 25 ℃, ID = 1 mA	---	0,018	---	V/℃
VGS(ésimo)	Voltaje de umbral	VDS= VGS, ID=250μA	0,50	0,65	1.0	V
RDS (encendido)	Resistencia estática de la fuente de drenaje	VGS=4,5 V, ID=30A	---	2.8	4.0	mΩ
RDS (encendido)	Resistencia estática de la fuente de drenaje	VGS=2,5 V, ID=20A	---	4.0	6.0	mΩ
IDSS	Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero	VDS=20V, VGS=0V	---	---	1	µA
IGSS	Corriente de fuga del cuerpo de la puerta	VGS=±10V, VDS=0V	---	---	±100	nA
ciss	Capacitancia de entrada	VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ	---	3200	---	pF
cos	Capacitancia de salida		---	460	---
crss	Capacitancia de transferencia inversa		---	446	---
Qg	Cargo total de puerta	VGS=4,5 V,VDS=10V,ID=30A	---	11.05	---	nC
Qgs	Cargo puerta-fuente		---	1,73	---
Qgd	Carga de drenaje de puerta		---	3.1	---
tD(encendido)	Tiempo de retardo de encendido	VGS=4,5 V, VDS=10 V, ID=30 ARGEN=1,8 Ω	---	9.7	---	ns
tr	Tiempo de subida de encendido		---	37	---
tD(apagado)	Tiempo de retardo de apagado		---	63	---
tf	Tiempo de caída de apagado		---	52	---
VSD	Voltaje directo del diodo	ES = 7,6 A, VGS = 0 V	---	---	1.2	V