WSD20L120DN56 Canal P -20V -120A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK
Descripción general
El WSD20L120DN56 es un MOSFET P-Ch de alto rendimiento con una estructura celular de alta densidad, que proporciona un excelente RDSON y carga de compuerta para la mayoría de los usos de convertidores reductores síncronos.El WSD20L120DN56 cumple al 100% con los requisitos EAS para RoHS y productos respetuosos con el medio ambiente, con aprobación de confiabilidad de función completa.
Características
1, tecnología avanzada de zanjas de alta densidad celular
2, carga de puerta súper baja
3, excelente disminución del efecto CdV/dt
4, 100% EAS garantizado 5, dispositivo ecológico disponible
Aplicaciones
Convertidor reductor síncrono de punto de carga de alta frecuencia para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de alimentación CC-CC de red, interruptor de carga, cigarrillo electrónico, cargador inalámbrico, motores, drones, médicos, cargador de automóvil, controlador, productos digitales, Pequeños Electrodomésticos, Electrónica de Consumo.
número de material correspondiente
AOS AON6411,NIKO PK5A7BA
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades | |
| 10 | Estado estable | |||
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | -20 | V | |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±10 | V | |
| ID @ TC = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ -10V1 | -120 | A | |
| ID @ TC = 100 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ -10V1 | -69,5 | A | |
| Identificación @ TA = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ -10V1 | -25 | -22 | A |
| Identificación @ TA = 70 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ -10V1 | -24 | -18 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | -340 | A | |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 300 | mJ | |
| NIC | Corriente de avalancha | -36 | A | |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de energía4 | 130 | W | |
| PD@TA=25℃ | Disipación total de energía4 | 6.8 | 6.25 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ | |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ | |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25 ℃, ID = -1 mA | --- | -0.0212 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 | VGS=-4,5 V, ID=-20A | --- | 2.1 | 2.7 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, ID=-20A | --- | 2.8 | 3.7 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral | VGS=VDS, identificación =-250uA | -0,4 | -0,6 | -1.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Coeficiente de temperatura | --- | 4.8 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -6 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=-5V, identificación=-20A | --- | 100 | --- | S |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | 5 | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (-4,5 V) | VDS=-10V, VGS=-4.5V, ID=-20A | --- | 100 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 21 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 32 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=-10V, VGEN=-4,5V, RG=3Ω ID=-1A, RL=0,5Ω | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Hora de levantarse | --- | 50 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 100 | --- | ||
| Tf | Otoño | --- | 40 | --- | ||
| ciss | Capacitancia de entrada | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4950 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 380 | --- | ||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 290 | --- |
