WSD25280DN56G MOSFET WINSOK de canal N 25V 280A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD25280DN56G es de 25 V, la corriente es de 280 A, la resistencia es de 0,7 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
Síncrono de punto de carga de alta frecuencia、Convertidor de dólares、Conexión en red del sistema de alimentación CC-CC、Aplicación de herramienta eléctrica, MOSFET de cigarrillos electrónicos, MOSFET de carga inalámbrica, MOSFET de drones, MOSFET de atención médica, MOSFET de cargadores de automóvil, MOSFET de controladores, MOSFET de productos digitales, MOSFET de pequeños electrodomésticos, MOSFET de electrónica de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
MOSFET PSMN1R-4ULD de Nxperian.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC262X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 25 | V |
| VGS | Puerta-Source voltaje | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaje continua(Silicio limitado）1,7 | 280 | A |
| ID@TC=70℃ | Corriente de drenaje continuo (Silicon Limited）1,7 | 190 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | 600 | A |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 1200 | mJ |
| NIC | Corriente de avalancha | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de energía4 | 83 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=250uA | 25 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0.022 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS= 10 V, yoD=20A | --- | 0,7 | 0,9 | mΩ |
| VGS= 4,5 V, yoD=20A | --- | 1.4 | 1.9 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △VSG(ésimo) | VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=20V , VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=20V , VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=5V, yoD=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (4,5 V) | VDS=15V , VGS= 4,5 V, yoD=20A | --- | 72 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 18 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 24 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=15V , VGEN=10V ,RG=1Ω, ID=10A | --- | 33 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 55 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 62 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 22 | --- | ||
| Ces | Capacitancia de entrada | VDS=15V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 7752 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 1120 | --- | ||
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 650 | --- |
