WSD30140DN56 MOSFET WINSOK de canal N 30V 85A DFN5*6-8

breve descripción:

Número de modelo:WSD30140DN56

BVDSS:30V

RDSON:1,7 mΩ

IDENTIFICACIÓN:85A

Canal:canal N

Paquete:DFN5*6-8

Resumen del producto:El voltaje del MOSFET WSD30140DN56 es de 30 V, la corriente es de 85 A, la resistencia es de 1,7 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5*6-8.

Aplicaciones:Cigarrillos electrónicos, cargadores inalámbricos, drones, atención médica, cargadores de automóviles, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo, etc.

Envíanos un correo electrónico PDF

Detalle del producto

Solicitud

Etiquetas de producto

Descripción General

El WSD30140DN56 es el MOSFET de canal N de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda muy alta que proporciona un excelente RDSON y carga de compuerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono. WSD30140DN56 cumple con RoHS y los requisitos de productos ecológicos, garantía 100% EAS, confiabilidad de función completa aprobada.

Características

Tecnología avanzada de trinchera de alta densidad celular, carga de puerta ultrabaja, excelente atenuación del efecto CdV/dt, garantía EAS 100 %, dispositivos ecológicos disponibles

Aplicaciones

Sincronización de punto de carga de alta frecuencia, convertidores reductores, sistemas de alimentación CC-CC en red, aplicaciones de herramientas eléctricas, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, drones, atención médica, carga de automóviles, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo

número de material correspondiente

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. EN NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. APAP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

Parámetros importantes

Símbolo	Parámetro	Clasificación	Unidades
VDS	Voltaje de drenaje-fuente	30	V
VGS	Voltaje puerta-fuente	±20	V
ID @ TC = 25 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1,7	85	A
ID @ TC = 70 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Corriente de drenaje pulsada2	300	A
PD@TC=25℃	Disipación total de energía4	50	W
TSTG	Rango de temperatura de almacenamiento	-55 a 150	℃
TJ	Rango de temperatura de funcionamiento de la unión	-55 a 150	℃

Símbolo	Parámetro	Condiciones	Mín.	Tipo.	Máx.	Unidad
BVDSS	Voltaje de ruptura drenaje-fuente	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referencia a 25℃, ID=1mA	---	0,02	---	V/℃
RDS (encendido)	Resistencia activada de fuente de drenaje estática2	VGS=10V, ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS (encendido)	Resistencia activada de fuente de drenaje estática2	VGS=4,5 V, ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS(ésimo)	Voltaje de umbral de puerta	VGS=VDS, identificación =250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Corriente de fuga de la fuente de drenaje	VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corriente de fuga de la fuente de drenaje	VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Corriente de fuga puerta-fuente	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
novias	Transconductancia directa	VDS=5V, ID=20A	---	90	---	S
Qg	Carga total de la puerta (4,5 V)	VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Cargo puerta-fuente		---	9.5	---
Qgd	Carga de drenaje de puerta		---	11.4	---
Td(encendido)	Tiempo de retardo de encendido	VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω.	---	11	---	ns
Tr	tiempo de subida		---	6	---
Td(apagado)	Tiempo de retardo de apagado		---	38,5	---
Tf	tiempo de otoño		---	10	---
ciss	Capacitancia de entrada	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	3000	---	pF
cos	Capacitancia de salida		---	1280	---
crss	Capacitancia de transferencia inversa		---	160	---