WSD30160DN56 MOSFET WINSOK de canal N 30V 120A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD30160DN56 es de 30 V, la corriente es de 120 A, la resistencia es de 1,9 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
MOSFET para cigarrillos electrónicos, MOSFET de carga inalámbrica, MOSFET para drones, MOSFET para atención médica, MOSFET para cargadores de automóviles, MOSFET para controladores, MOSFET para productos digitales, MOSFET para pequeños electrodomésticos, MOSFET para electrónica de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
MOSFET AOS AON6382,AON6384,AON644A,AON6548.
Onsemi, MOSFET FAIRCHILD NTMFS4834N, NTMFS4C5N.
MOSFET TOSHIBA TPH2R93PL.
PANJIT MOSFET PJQ5426.
NIKO-SEM MOSFET PKE1BB.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 30 | V |
| VGS | Puerta-Source voltaje | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V1,7 | 68 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | 300 | A |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 128 | mJ |
| NIC | Corriente de avalancha | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de la energía4 | 62,5 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS= 10 V, yoD=20A | --- | 1.9 | 2.5 | mΩ |
| VGS= 4,5 V, yoD=15A | --- | 2.9 | 3.5 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral | VGS=VDS, ID=250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VSG(ésimo) | VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=24V , VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V , VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=5V, yoD=10A | --- | 32 | --- | S |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (4,5 V) | VDS=15V , VGS= 4,5 V, yoD=20A | --- | 38 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 10 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 13 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=15V , VGEN=10V, RG=6Ω, ID=1A, RL=15Ω. | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Hora de levantarse | --- | 23 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Otoño | --- | 40 | --- | ||
| Ces | Capacitancia de entrada | VDS=15V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 1180 | --- | ||
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 530 | --- |
