WSD3023DN56 N-Ch y P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK
Descripción General
El WSD3023DN56 es el MOSFET de canal N y P de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RDSON y carga de puerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono. El WSD3023DN56 cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos. 100% EAS garantizado con confiabilidad de función completa aprobada.
Características
Tecnología avanzada de zanja de alta densidad celular, carga de puerta súper baja, excelente disminución del efecto CdV/dt, 100% EAS garantizado, dispositivo ecológico disponible.
Aplicaciones
Convertidor reductor síncrono de punto de carga de alta frecuencia para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de alimentación CC-CC en red, inversor de retroiluminación CCFL, drones, motores, electrónica automotriz, electrodomésticos grandes.
número de material correspondiente
PANJIT PJQ5606
Parámetros importantes
Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades | |
N-Ch | P-Ch | |||
VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 30 | -30 | V |
VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | ±20 | V |
ID | Corriente de drenaje continuo, VGS(NP)=10V,Ta=25℃ | 14* | -12 | A |
Corriente de drenaje continuo, VGS(NP)=10V,Ta=70℃ | 7.6 | -9,7 | A | |
desplazado interno un | Corriente de drenaje de pulso probada, VGS(NP)=10V | 48 | -48 | A |
EASc | Energía de avalancha, pulso único, L=0,5 mH | 20 | 20 | mJ |
NIC c | Corriente de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH | 9 | -9 | A |
PD | Disipación total de energía, Ta=25 ℃ | 5.25 | 5.25 | W |
TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 175 | -55 a 175 | ℃ |
TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | 175 | 175 | ℃ |
RqJAb | Unión de resistencia térmica al ambiente, estado estable | 60 | 60 | °C/W |
RqJC | Resistencia térmica: unión a caja, estado estable | 6.25 | 6.25 | °C/W |
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
RDS(ENCENDIDO)d | Resistencia estática de la fuente de drenaje | VGS=10V, ID=8A | --- | 14 | 18.5 | mΩ |
VGS = 4,5 V, ID = 5A | --- | 17 | 25 | |||
VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =250uA | 1.3 | 1.8 | 2.3 | V |
IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=20V, VGS=0V, TJ=85℃ | --- | --- | 30 | |||
IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.7 | 3.4 | Ω |
qge | Cargo total de puerta | VDS=15V, VGS=4,5V, IDS=8A | --- | 5.2 | --- | nC |
Qgse | Cargo puerta-fuente | --- | 1.0 | --- | ||
Qgde | Carga de drenaje de puerta | --- | 2.8 | --- | ||
Td(encendido)e | Tiempo de retardo de encendido | VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R. | --- | 6 | --- | ns |
tre | tiempo de subida | --- | 8.6 | --- | ||
Td(apagado)e | Tiempo de retardo de apagado | --- | 16 | --- | ||
Tfe | tiempo de otoño | --- | 3.6 | --- | ||
cissé | Capacitancia de entrada | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 545 | --- | pF |
cosse | Capacitancia de salida | --- | 95 | --- | ||
cruz | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 55 | --- |