WSD30300DN56G MOSFET WINSOK de canal N 30V 300A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD20100DN56 es de 20 V, la corriente es de 90 A, la resistencia es de 1,6 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
Cigarrillos electrónicos MOSFET, drones MOSFET, herramientas eléctricas MOSFET, pistolas de fascia MOSFET, PD MOSFET, pequeños electrodomésticos MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
MOSFET AOS AON6572.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 20 | V |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±12 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corriente de drenaje continua1 | 90 | A |
| ID@TC= 100 ℃ | Corriente de drenaje continua1 | 48 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | 270 | A |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 80 | mJ |
| NIC | Corriente de avalancha | 40 | A |
| PD@TC= 25 ℃ | Disipación total de energía4 | 83 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
| RθJA | Unión de resistencia térmica-ambiente1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Unión de resistencia térmica-ambiente1(Estado estable) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Caja de conexiones de resistencia térmica1 | 1.5 | ℃/W |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | mín. | tipo | máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =250uA | 0,5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS=4,5 V, ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS=2,5 V, ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (10 V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 14 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, Identificación=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 11.7 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 56,4 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 16.2 | --- | ||
| ciss | Capacitancia de entrada | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 501 | --- | ||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 321 | --- | ||
| IS | Corriente de fuente continua1,5 | VG=VD= 0 V, corriente de fuerza | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Voltaje directo del diodo2 | VGS=0V, ES=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Tiempo de recuperación inversa | SI=20A , di/dt=100A/μs , TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| qrr | Cargo de recuperación inversa | --- | 72 | --- | nC |
