MOSFET WINSOK de canal N 30V 350A DFN5X6-8 WSD30350DN56G
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD30350DN56G es de 30 V, la corriente es de 350 A, la resistencia es de 1,8 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
MOSFET para cigarrillos electrónicos, MOSFET de carga inalámbrica, MOSFET para drones, MOSFET para atención médica, MOSFET para cargadores de automóviles, MOSFET para controladores, MOSFET para productos digitales, MOSFET para pequeños electrodomésticos, MOSFET para electrónica de consumo.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 30 | V |
| VGS | Puerta-Source voltaje | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaje continua(Silicio limitado）1,7 | 350 | A |
| ID@TC=70℃ | Corriente de drenaje continuo (Silicon Limited）1,7 | 247 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | 600 | A |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 1800 | mJ |
| NIC | Corriente de avalancha | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de energía4 | 104 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0.022 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS= 10 V, yoD=20A | --- | 0,48 | 0,62 | mΩ |
| VGS= 4,5 V, yoD=20A | --- | 0,72 | 0,95 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, ID=250uA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| △VSG(ésimo) | VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=24V , VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V , VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=5V, yoD=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (4,5 V) | VDS=15V , VGS= 4,5 V, yoD=20A | --- | 89 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 37 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 20 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=15V , VGEN= 10 V, RG=1Ω, ID=10A | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 34 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 61 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 18 | --- | ||
| Ces | Capacitancia de entrada | VDS=15V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 7845 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 4525 | --- | ||
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 139 | --- |
