MOSFET WINSOK de doble canal P -30V -49A DFN5*6-8 WSD30L88DN56
Descripción General
El WSD30L88DN56 es el MOSFET P-Ch dual de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RDSON y carga de compuerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono. El WSD30L88DN56 cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos. 100% EAS garantizado con confiabilidad de función completa aprobada.
Características
Tecnología avanzada de zanja de alta densidad celular, carga de puerta súper baja, excelente disminución del efecto CdV/dt, 100% EAS garantizado, dispositivo ecológico disponible.
Aplicaciones
Punto de carga síncrono de alta frecuencia, convertidor Buck para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de alimentación CC-CC en red, interruptor de carga, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, drones, atención médica, cargadores de automóviles, controladores, digitales productos, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo.
número de material correspondiente
AOS
Parámetros importantes
Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
VDS | Voltaje de drenaje-fuente | -30 | V |
VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | V |
ID @ TC = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ -10V1 | -49 | A |
ID @ TC = 100 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ -10V1 | -23 | A |
IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | -120 | A |
EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 68 | mJ |
PD@TC=25℃ | Disipación total de energía4 | 40 | W |
TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |