WSD40120DN56 MOSFET WINSOK de canal N 40V 120A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD40120DN56 es de 40 V, la corriente es de 120 A, la resistencia es de 1,85 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
MOSFET para cigarrillos electrónicos, MOSFET de carga inalámbrica, MOSFET para drones, MOSFET para atención médica, MOSFET para cargadores de automóviles, MOSFET para controladores, MOSFET para productos digitales, MOSFET para pequeños electrodomésticos, MOSFET para electrónica de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET PH484S.TOSHIBA MOSFET TPH1R14PB.PANJIT MOSFET PJQ544. NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 40 | V |
| VGS | Puerta-Source voltaje | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | 400 | A |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 240 | mJ |
| NIC | Corriente de avalancha | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de energía4 | 104 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS=10V, yoD=30A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS=4.5V, yoD=20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, ID=250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VSG(ésimo) | VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=32V , VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V , VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=5V, yoD=20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (10 V) | VDS=20V , VGS= 10 V, yoD=10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=30V , VGEN=10 V , RG=1Ω, ID=1A, RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 10 | 12 | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 34 | 40 | ||
| Ces | Capacitancia de entrada | VDS=20V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 690 | --- | ||
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 370 | --- |
