WSD4018DN22 Canal P -40V -18A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK

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WSD4018DN22 Canal P -40V -18A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK

Breve descripción:

Número de pieza:WSD4018DN22

BVDSS:-40V

IDENTIFICACIÓN:-18A

RDSON:26mΩ 

Canal:canal P

Paquete:DFN2X2-6L


Detalle del producto

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Descripción general del producto WINSOK MOSFET

El voltaje del MOSFET WSD4018DN22 es -40 V, la corriente es -18 A, la resistencia es 26 mΩ, el canal es canal P y el paquete es DFN2X2-6L.

Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET

Tecnología avanzada de trinchera de alta densidad celular, carga de puerta súper baja, excelente disminución del efecto Cdv/dt. Dispositivo ecológico disponible, equipo de reconocimiento facial MOSFET, MOSFET de cigarrillos electrónicos, MOSFET de pequeños electrodomésticos, MOSFET de cargador de automóvil.

WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.

MOSFET AOS AON2409, MOSFET POTENS PDB3909L

Parámetros MOSFET

Símbolo

Parámetro

Clasificación

Unidades

VDS

Voltaje de drenaje-fuente

-40

V

VGS

Voltaje puerta-fuente

±20

V

ID@Tc= 25 ℃

Corriente de drenaje continua, VGS@ -10V1

-18

A

ID@Tc= 70 ℃

Corriente de drenaje continua, VGS@ -10V1

-14,6

A

IDM

Corriente de drenaje pulsada de 300 μS, VGS=-4,5 V2

54

A

PD@Tc= 25 ℃

Disipación total de la energía3

19

W

TSTG

Rango de temperatura de almacenamiento

-55 a 150

TJ

Rango de temperatura de funcionamiento de la unión

-55 a 150

Características eléctricas (TJ=25 ℃, a menos que se indique lo contrario)

Símbolo

Parámetro

Condiciones

Mín.

Tipo.

Máx.

Unidad

BVDSS

Voltaje de ruptura drenaje-fuente VGS=0V, yoD=-250uA

-40

---

---

V

△BVDSS/△TJ

Coeficiente de temperatura BVDSS Referencia a 25 ℃, yoD=-1mA

---

-0.01

---

V/℃

RDS (encendido)

Resistencia estática de la fuente de drenaje2 VGS=-10V, yoD=-8.0A

---

26

34

VGS=-4,5 V, yoD=-6.0A

---

31

42

VGS(ésimo)

Voltaje de umbral VGS=VDS, ID=-250uA

-1.0

-1,5

-3.0

V

△VSG(ésimo)

VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Corriente de fuga de la fuente de drenaje VDS=-40V, VGS=0V, TJ= 25 ℃

---

---

-1

uA

VDS=-40V, VGS=0V, TJ= 55 ℃

---

---

-5

IGSS

Corriente de fuga puerta-fuente VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

Carga total de la puerta (-4,5 V) VDS=-20V, VGS=-10V, yoD=-1.5A

---

27

---

nC

Qgs

Cargo puerta-fuente

---

2.5

---

Qgd

Carga de drenaje de puerta

---

6.7

---

Td(encendido)

Tiempo de retardo de encendido VDD=-20V, VGS=-10 V,RG=3Ω, RL=10Ω

---

9.8

---

ns

Tr

Hora de levantarse

---

11

---

Td(apagado)

Tiempo de retardo de apagado

---

54

---

Tf

Otoño

---

7.1

---

Ces

Capacitancia de entrada VDS=-20V, VGS=0V, f=1MHz

---

1560

---

pF

cos

Capacitancia de salida

---

116

---

Crss

Capacitancia de transferencia inversa

---

97

---


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