MOSFET WINSOK de canal P -40V -18A DFN2X2-6L WSD4018DN22
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD4018DN22 es -40 V, la corriente es -18 A, la resistencia es 26 mΩ, el canal es canal P y el paquete es DFN2X2-6L.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
Tecnología avanzada de trinchera de alta densidad celular, carga de puerta súper baja, excelente disminución del efecto Cdv/dt. Dispositivo ecológico disponible, equipo de reconocimiento facial MOSFET, MOSFET de cigarrillos electrónicos, MOSFET de pequeños electrodomésticos, MOSFET de cargador de automóvil.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
MOSFET AOS AON2409, MOSFET POTENS PDB3909L
Parámetros MOSFET
Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
VDS | Voltaje de drenaje-fuente | -40 | V |
VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | V |
ID@Tc= 25 ℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ -10V1 | -18 | A |
ID@Tc= 70 ℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ -10V1 | -14,6 | A |
IDM | Corriente de drenaje pulsada de 300 μS, VGS=-4,5 V2 | 54 | A |
PD@Tc= 25 ℃ | Disipación total de energía3 | 19 | W |
TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
Características eléctricas (TJ=25 ℃, a menos que se indique lo contrario)
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=-250uA | -40 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25 ℃, yoD=-1mA | --- | -0.01 | --- | V/℃ |
RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS=-10V, yoD=-8.0A | --- | 26 | 34 | mΩ |
VGS=-4,5 V, yoD=-6.0A | --- | 31 | 42 | |||
VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, ID=-250uA | -1.0 | -1,5 | -3.0 | V |
△VSG(ésimo) | VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=-40V, VGS=0V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
VDS=-40V, VGS=0V, TJ= 55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Qg | Carga total de la puerta (-4,5 V) | VDS=-20V, VGS=-10V, yoD=-1.5A | --- | 27 | --- | nC |
Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 2.5 | --- | ||
Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 6.7 | --- | ||
Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=-20V, VGS=-10 V,RG=3Ω, RL=10Ω | --- | 9.8 | --- | ns |
Tr | tiempo de subida | --- | 11 | --- | ||
Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 54 | --- | ||
Tf | tiempo de otoño | --- | 7.1 | --- | ||
Ces | Capacitancia de entrada | VDS=-20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1560 | --- | pF |
cos | Capacitancia de salida | --- | 116 | --- | ||
Crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 97 | --- |