WSD4076DN56 MOSFET WINSOK de canal N 40V 76A DFN5X6-8

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WSD4076DN56 MOSFET WINSOK de canal N 40V 76A DFN5X6-8

Breve descripción:

Número de pieza:WSD4076DN56

BVDSS:40V

IDENTIFICACIÓN:76A

RDSON:6,9 mΩ 

Canal:canal N

Paquete:DFN5X6-8


Detalle del producto

Solicitud

Etiquetas de productos

Descripción general del producto WINSOK MOSFET

El voltaje del MOSFET WSD4076DN56 es de 40 V, la corriente es de 76 A, la resistencia es de 6,9 ​​mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.

Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET

Pequeños electrodomésticos MOSFET, electrodomésticos de mano MOSFET, motores MOSFET.

WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.

STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.

PANJIT MOSFET PJQ5442.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

Parámetros MOSFET

Símbolo

Parámetro

Clasificación

Unidades

VDS

Voltaje de drenaje-fuente

40

V

VGS

Puerta-Source voltaje

±20

V

ID@TC=25

Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V

76

A

ID@TC=100

Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V

33

A

IDM

Corriente de drenaje pulsadaa

125

A

EAS

Energía de avalancha de pulso únicob

31

mJ

NIC

Corriente de avalancha

31

A

PD@Ta=25

Disipación total de la energía

1.7

W

TSTG

Rango de temperatura de almacenamiento

-55 a 150

TJ

Rango de temperatura de funcionamiento de la unión

-55 a 150

 

Símbolo

Parámetro

Condiciones

Mín.

Tipo.

Máx.

Unidad

BVDSS

Voltaje de ruptura drenaje-fuente VGS=0V, yoD=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoeficiente de temperatura Referencia a 25, ID=1mA

---

0.043

---

V/

RDS (encendido)

Resistencia estática de la fuente de drenaje2 VGS=10V, yoD=12A

---

6.9

8.5

mΩ

RDS (encendido)

Resistencia estática de la fuente de drenaje2 VGS=4.5V, yoD=10A

---

10

15

VGS(ésimo)

Voltaje de umbral VGS=VDS, ID=250uA

1.5

1.6

2.5

V

VGS(ésimo)

VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Corriente de fuga de la fuente de drenaje VDS=32V , VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V , VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Corriente de fuga puerta-fuente VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

novias

Transconductancia directa VDS=5V, yoD=20A

---

18

---

S

Rg

Resistencia de la puerta VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Carga total de la puerta (10 V) VDS=20V , VGS= 4,5 V, yoD=12A

---

5.8

---

nC

Qgs

Cargo puerta-fuente

---

3.0

---

Qgd

Carga de drenaje de puerta

---

1.2

---

Td(encendido)

Tiempo de retardo de encendido VDD=15V , VGEN=10V, RG=3.3Ω, ID=1A.

---

12

---

ns

Tr

Hora de levantarse

---

5.6

---

Td(apagado)

Tiempo de retardo de apagado

---

20

---

Tf

Otoño

---

11

---

Ces

Capacitancia de entrada VDS=15V , VGS=0V, f=1MHz

---

680

---

pF

cos

Capacitancia de salida

---

185

---

Crss

Capacitancia de transferencia inversa

---

38

---


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