WSD4076DN56 MOSFET WINSOK de canal N 40V 76A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD4076DN56 es de 40 V, la corriente es de 76 A, la resistencia es de 6,9 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
Pequeños electrodomésticos MOSFET, electrodomésticos de mano MOSFET, motores MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.
PANJIT MOSFET PJQ5442.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 40 | V |
| VGS | Puerta-Source voltaje | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V | 76 | A |
| ID@TC=100℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V | 33 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsadaa | 125 | A |
| EAS | Energía de avalancha de pulso únicob | 31 | mJ |
| NIC | Corriente de avalancha | 31 | A |
| PD@Ta=25℃ | Disipación total de energía | 1.7 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS=10V, yoD=12A | --- | 6.9 | 8.5 | mΩ |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS=4.5V, yoD=10A | --- | 10 | 15 | mΩ |
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, ID=250uA | 1.5 | 1.6 | 2.5 | V |
| △VGS(ésimo) | VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=32V , VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V , VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=5V, yoD=20A | --- | 18 | --- | S |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.7 | --- | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (10 V) | VDS=20V , VGS= 4,5 V, yoD=12A | --- | 5.8 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 3.0 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 1.2 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=15V , VGEN=10 V , RG=3.3Ω, ID=1A. | --- | 12 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 5.6 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 20 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 11 | --- | ||
| Ces | Capacitancia de entrada | VDS=15V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 680 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 185 | --- | ||
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 38 | --- |
