WSD4080DN56 MOSFET WINSOK de canal N 40V 85A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD4080DN56 es de 40 V, la corriente es de 85 A, la resistencia es de 4,5 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
Pequeños electrodomésticos MOSFET, electrodomésticos de mano MOSFET, motores MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 40 | V |
| VGS | Puerta-Source voltaje | ±20 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corriente de drenaje continua, VGS @ 10V1 | 85 | A |
| ID@TC= 100 ℃ | Corriente de drenaje continua, VGS @ 10V1 | 58 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | 100 | A |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 110,5 | mJ |
| NIC | Corriente de avalancha | 47 | A |
| PD@TC= 25 ℃ | Disipación total de energía4 | 52.1 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
| RθJA | Unión de resistencia térmica-ambiente1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | Caja de conexiones de resistencia térmica1 | 2.4 | ℃/W |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS=10V, ID=10A | --- | 4.5 | 6.5 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5A | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=10V, ID=5A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Carga total de la puerta (4,5 V) | VDS=20V, VGS=4,5V, ID=10A | --- | 20 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 9.5 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=15V, VGS=10V RG=3.3Ω ID=1A | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 8.8 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 74 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 7 | --- | ||
| ciss | Capacitancia de entrada | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2354 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 215 | --- | ||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 175 | --- | ||
| IS | Corriente de fuente continua1,5 | VG=VD= 0 V, corriente de fuerza | --- | --- | 70 | A |
| VSD | Voltaje directo del diodo2 | VGS=0V, ES=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
