WSD4098 MOSFET WINSOK de doble canal N 40V 22A DFN5*6-8

MOSFET WINSOK WSD4098 de doble canal N 40 V 22 A DFN5 * 6-8 Imagen destacada

breve descripción:

Este es un banco de energía inalámbrico magnético que reconoce automáticamente los teléfonos Apple y no requiere activación de botón. Integra protocolos de carga rápida de entrada y salida 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC. Es un producto de banco de energía inalámbrico que es compatible con convertidores elevadores/reductores síncronos de teléfonos móviles Apple/Samsung, gestión de carga de batería de litio, indicación de potencia de tubo digital, carga inalámbrica magnética y otras funciones.

Número de modelo:WSD4098

BVDSS:40V

RDSON:7,8 mΩ

IDENTIFICACIÓN:22A

Canal:Canal N dual

Paquete:DFN5*6-8

Resumen del producto:El voltaje del MOSFET WSD4098 es de 40 V, la corriente es de 22 A, la resistencia es de 7,8 mΩ, el canal es de canal N dual y el paquete es DFN5*6-8.

Aplicaciones:Cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, drones, atención médica, cargadores de automóviles, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo.

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Descripción General

El WSD4098DN56 es el MOSFET Dual N-Ch de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RDSON y carga de compuerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono. El WSD4098DN56 cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos. 100% EAS garantizado con confiabilidad de función completa aprobada.

Características

Tecnología avanzada de zanjas de alta densidad celular, carga de puerta súper baja, excelente disminución del efecto CdV/dt, 100% EAS garantizado, dispositivo ecológico disponible

Aplicaciones

Sincrónico de punto de carga de alta frecuencia, convertidor reductor para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de alimentación CC-CC en red, interruptor de carga, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, drones, atención médica, cargadores de automóviles, controladores, digitales productos, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo.

número de material correspondiente

AOS AON6884

Parámetros importantes

Símbolo	Parámetro		Clasificación	Unidad
Calificaciones comunes
VDSS	Voltaje de drenaje-fuente		40	V
VGSS	Voltaje puerta-fuente		±20	V
TJ	Temperatura máxima de unión		150	°C
TSTG	Rango de temperatura de almacenamiento		-55 a 150	°C
IS	Corriente directa continua del diodo	TA=25°C	11.4	A
ID	Corriente de drenaje continua	TA=25°C	22	A
ID	Corriente de drenaje continua			A
		TA=70°C	22
Yo DM b	Corriente de drenaje de pulso probada	TA=25°C	88	A
PD	Disipación de potencia máxima	T = 25°C	25	W
PD	Disipación de potencia máxima	CT=70°C	10	W
RqJL	Unión de resistencia térmica a plomo	Estado estable	5	°C/W
RqJA	Unión de resistencia térmica al ambiente	£ 10 chelines	45	°C/W
RqJA	Unión de resistencia térmica al ambiente	Estado estacionario b	90	°C/W
Yo como d	Corriente de avalancha, pulso único	L=0,5 mH	28	A
E AS d	Energía de avalancha, pulso único	L=0,5 mH	39.2	mJ

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba		Mín.	Tipo.	Máx.	Unidad
Características estáticas
BVDSS	Voltaje de ruptura drenaje-fuente	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(ésimo)	Voltaje de umbral de puerta	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Corriente de fuga de puerta	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ENCENDIDO) e	Resistencia en estado de fuente de drenaje	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	metroW
R DS(ENCENDIDO) e	Resistencia en estado de fuente de drenaje	VGS=4,5 V, IDS=12 A		-	9.0	11	metroW
Características del diodo
VSD e	Voltaje directo del diodo	ISD=1A, VGS=0V		-	0,75	1.1	V
trr	Tiempo de recuperación inversa	ISD=20A, dlSD/dt=100A/μs		-	23	-	ns
qrr	Cargo de recuperación inversa	ISD=20A, dlSD/dt=100A/μs		-	13	-	nC
Características dinámicas f
RG	Resistencia de la puerta	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
ciss	Capacitancia de entrada	VGS=0V, VDS=20V, Frecuencia = 1,0 MHz		-	1370	1781	pF
cos	Capacitancia de salida			-	317	-
crss	Capacitancia de transferencia inversa			-	96	-
td(ENCENDIDO)	Tiempo de retardo de encendido	VD = 20 V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Tiempo de subida de encendido			-	8	-
td(apagado)	Tiempo de retardo de apagado			-	30	-
tf	Tiempo de caída de apagado			-	21	-
Características de carga de puerta f
Qg	Cargo total de puerta	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Cargo total de puerta	VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Cargo de puerta de umbral			-	2.6	-
Qgs	Cargo puerta-fuente			-	4.7	-
Qgd	Carga de drenaje de puerta			-	3	-