MOSFET WINSOK de doble canal P -15V -4.6A DFN2X2-6L WSD4280DN22

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MOSFET WINSOK de doble canal P -15V -4.6A DFN2X2-6L WSD4280DN22

breve descripción:

Número de pieza:WSD4280DN22

BVDSS:-15V

IDENTIFICACIÓN:-4.6A

RDSON:47mΩ 

Canal:Canal P dual

Paquete:DFN2X2-6L


Detalle del producto

Solicitud

Etiquetas de producto

Descripción general del producto WINSOK MOSFET

El voltaje del MOSFET WSD4280DN22 es -15 V, la corriente es -4,6 A, la resistencia es 47 mΩ, el canal es de doble canal P y el paquete es DFN2X2-6L.

Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET

Interruptor de bloqueo bidireccional; Aplicaciones de conversión DC-DC; carga de baterías de litio; MOSFET de cigarrillos electrónicos, MOSFET de carga inalámbrica, MOSFET de carga de automóviles, MOSFET de controlador, MOSFET de productos digitales, MOSFET de pequeños electrodomésticos, MOSFET de electrónica de consumo.

WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.

MOSFET PANJIT PJQ2815

Parámetros MOSFET

Símbolo

Parámetro

Clasificación

Unidades

VDS

Voltaje de drenaje-fuente

-15

V

VGS

Voltaje puerta-fuente

±8

V

ID@Tc= 25 ℃

Corriente de drenaje continua, VGS= -4,5V1 

-4.6

A

IDM

Corriente de drenaje pulsada de 300 μS, (VGS=-4,5 V)

-15

A

PD 

Disipación de potencia reducida por encima de TA = 25°C (Nota 2)

1.9

W

TSTG,TJ 

Rango de temperatura de almacenamiento

-55 a 150

RθJA

Unión de resistencia térmica-ambiente1

65

°C/W

RθJC

Caja de conexiones de resistencia térmica1

50

°C/W

Características eléctricas (TJ=25 ℃, a menos que se indique lo contrario)

Símbolo

Parámetro

Condiciones

Mín.

Tipo.

Máx.

Unidad

BVDSS 

Voltaje de ruptura drenaje-fuente VGS=0V, yoD=-250uA

-15

---

---

V

△BVDSS/△TJ

Coeficiente de temperatura BVDSS Referencia a 25 ℃, yoD=-1mA

---

-0.01

---

V/℃

RDS (encendido)

Resistencia estática de la fuente de drenaje2  VGS=-4,5 V, yoD=-1A

---

47

61

VGS=-2,5 V, yoD=-1A

---

61

80

VGS=-1,8 V, yoD=-1A

---

90

150

VGS(ésimo)

Voltaje de umbral de puerta VGS=VDS, ID=-250uA

-0,4

-0,62

-1.2

V

△VSG(ésimo) 

VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Corriente de fuga de la fuente de drenaje VDS=-10V, VGS=0V, TJ= 25 ℃

---

---

-1

uA

VDS=-10V, VGS=0V, TJ= 55 ℃

---

---

-5

IGSS

Corriente de fuga puerta-fuente VGS=±12V, VDS=0V

---

---

±100

nA

novias

Transconductancia directa VDS=-5V, yoD=-1A

---

10

---

S

Rg 

Resistencia de la puerta VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz

---

2

---

Ω

Qg 

Carga total de la puerta (-4,5 V)

VDS=-10V, VGS=-4,5 V, yoD=-4.6A

---

9.5

---

nC

Qgs 

Cargo puerta-fuente

---

1.4

---

Qgd 

Carga de drenaje de puerta

---

2.3

---

Td(encendido)

Tiempo de retardo de encendido VDD=-10 V,VGS=-4,5 V, RG=1Ω

ID=-3.9A,

---

15

---

ns

Tr 

tiempo de subida

---

16

---

Td(apagado)

Tiempo de retardo de apagado

---

30

---

Tf 

tiempo de otoño

---

10

---

Ces 

Capacitancia de entrada VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz

---

781

---

pF

cos

Capacitancia de salida

---

98

---

Crss 

Capacitancia de transferencia inversa

---

96

---


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