MOSFET WINSOK de doble canal P -15V -4.6A DFN2X2-6L WSD4280DN22
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD4280DN22 es -15 V, la corriente es -4,6 A, la resistencia es 47 mΩ, el canal es de doble canal P y el paquete es DFN2X2-6L.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
Interruptor de bloqueo bidireccional; Aplicaciones de conversión DC-DC; carga de baterías de litio; MOSFET de cigarrillos electrónicos, MOSFET de carga inalámbrica, MOSFET de carga de automóviles, MOSFET de controlador, MOSFET de productos digitales, MOSFET de pequeños electrodomésticos, MOSFET de electrónica de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
MOSFET PANJIT PJQ2815
Parámetros MOSFET
Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
VDS | Voltaje de drenaje-fuente | -15 | V |
VGS | Voltaje puerta-fuente | ±8 | V |
ID@Tc= 25 ℃ | Corriente de drenaje continua, VGS= -4,5V1 | -4.6 | A |
IDM | Corriente de drenaje pulsada de 300 μS, (VGS=-4,5 V) | -15 | A |
PD | Disipación de potencia reducida por encima de TA = 25°C (Nota 2) | 1.9 | W |
TSTG,TJ | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
RθJA | Unión de resistencia térmica-ambiente1 | 65 | °C/W |
RθJC | Caja de conexiones de resistencia térmica1 | 50 | °C/W |
Características eléctricas (TJ=25 ℃, a menos que se indique lo contrario)
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=-250uA | -15 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25 ℃, yoD=-1mA | --- | -0.01 | --- | V/℃ |
RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS=-4,5 V, yoD=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
VGS=-2,5 V, yoD=-1A | --- | 61 | 80 | |||
VGS=-1,8 V, yoD=-1A | --- | 90 | 150 | |||
VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, ID=-250uA | -0,4 | -0,62 | -1.2 | V |
△VSG(ésimo) | VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=-10V, VGS=0V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
VDS=-10V, VGS=0V, TJ= 55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
novias | Transconductancia directa | VDS=-5V, yoD=-1A | --- | 10 | --- | S |
Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
Qg | Carga total de la puerta (-4,5 V) | VDS=-10V, VGS=-4,5 V, yoD=-4.6A | --- | 9.5 | --- | nC |
Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 1.4 | --- | ||
Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 2.3 | --- | ||
Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=-10 V,VGS=-4,5 V, RG=1Ω ID=-3.9A, | --- | 15 | --- | ns |
Tr | tiempo de subida | --- | 16 | --- | ||
Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 30 | --- | ||
Tf | tiempo de otoño | --- | 10 | --- | ||
Ces | Capacitancia de entrada | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
cos | Capacitancia de salida | --- | 98 | --- | ||
Crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 96 | --- |