WSD45N10GDN56 MOSFET WINSOK de canal N 100V 45A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD45N10GDN56 es de 100 V, la corriente es de 45 A, la resistencia es de 14,5 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
MOSFET para cigarrillos electrónicos, MOSFET para carga inalámbrica, MOSFET para motores, MOSFET para drones, MOSFET para atención médica, MOSFET para cargadores de automóviles, MOSFET para controladores, MOSFET para productos digitales, MOSFET para pequeños electrodomésticos, MOSFET para electrónica de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semiconductor MOSFET PDC966X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 100 | V |
| VGS | Puerta-Source voltaje | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Corriente de drenaje pulsada | 130 | A |
| EASB | Energía de avalancha de pulso único | 169 | mJ |
| IASb | Corriente de avalancha | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de energía | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Disipación total de energía | 5.0 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0.0 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido)d | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS= 10 V, yoD=26A | --- | 14.5 | 17,5 | mΩ |
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VSG(ésimo) | VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=80V , VGS=0V, TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80V , VGS=0V, TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V , VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
| rge | Resistencia de la puerta | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| qge | Carga total de la puerta (10 V) | VDS=50V , VGS= 10 V, yoD=26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Cargo puerta-fuente | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Carga de drenaje de puerta | --- | 12 | --- | ||
| Td(encendido)e | Tiempo de retardo de encendido | VDD=30V , VGEN=10 V , RG=6Ω ID=1A,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| tre | tiempo de subida | --- | 9 | 17 | ||
| Td(apagado)e | Tiempo de retardo de apagado | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | tiempo de otoño | --- | 22 | 40 | ||
| cissé | Capacitancia de entrada | VDS=30V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| cosse | Capacitancia de salida | --- | 215 | --- | ||
| cruz | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 42 | --- |
