WSD6040DN56 MOSFET WINSOK de canal N 60V 36A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD6040DN56 es de 60 V, la corriente es de 36 A, la resistencia es de 14 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
MOSFET para cigarrillos electrónicos, MOSFET para carga inalámbrica, MOSFET para motores, MOSFET para drones, MOSFET para atención médica, MOSFET para cargadores de automóviles, MOSFET para controladores, MOSFET para productos digitales, MOSFET para pequeños electrodomésticos, MOSFET para electrónica de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades | ||
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 60 | V | ||
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | V | ||
| ID | Corriente de drenaje continua | CT=25°C | 36 | A | |
| CT=100°C | 22 | ||||
| ID | Corriente de drenaje continua | TA=25°C | 8.4 | A | |
| TA=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Corriente de drenaje pulsada | CT=25°C | 140 | A | |
| PD | Disipación de potencia máxima | CT=25°C | 37,8 | W | |
| CT=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Disipación de potencia máxima | TA=25°C | 2.08 | W | |
| TA=70°C | 1.33 | ||||
| IAS c | Corriente de avalancha, pulso único | L=0,5 mH | 16 | A | |
| EASc | Energía de avalancha de pulso único | L=0,5 mH | 64 | mJ | |
| IS | Corriente directa continua del diodo | CT=25°C | 18 | A | |
| TJ | Temperatura máxima de unión | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Unión de resistencia térmica al ambiente | Estado estable | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Unión de resistencia térmica a la caja | Estado estable | 3.3 | ℃/W | |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad | |
| Estático | |||||||
| V(BR)DSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | V | |||
| IDSS | Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | mA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Corriente de fuga de puerta | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | |||
| Sobre las características | |||||||
| VGS(TH) | Voltaje de umbral de puerta | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS (encendido)d | Resistencia en estado de fuente de drenaje | VGS = 10 V, ID = 25 A | 14 | 17,5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 20 A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Traspuesta | |||||||
| Qg | Cargo total de puerta | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Carga amarga en la puerta | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | 9.6 | nC | ||||
| td (encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Tiempo de subida de encendido | 9 | ns | ||||
| td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | 58 | ns | ||||
| tf | Tiempo de caída de apagado | 14 | ns | ||||
| Rg | resistencia gat | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dinámica | |||||||
| ciss | En capacitancia | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| cos | Fuera de capacitancia | 140 | pF | ||||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | 100 | pF | ||||
| Características del diodo de fuente de drenaje y clasificaciones máximas | |||||||
| IS | Corriente de fuente continua | VG=VD=0V, corriente de fuerza | 18 | A | |||
| ISMO | Corriente de fuente pulsada3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Voltaje directo del diodo | ISD = 20 A, VGS = 0 V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Tiempo de recuperación inversa | ISD=25A, dlSD/dt=100A/μs | 27 | ns | |||
| qrr | Cargo de recuperación inversa | 33 | nC | ||||
