WSD6060DN56 MOSFET WINSOK de canal N 60V 65A DFN5X6-8

Breve descripción:

Número de pieza:WSD6060DN56

BVDSS:60V

IDENTIFICACIÓN:65A

RDSON:7,5 mΩ

Canal:canal N

Paquete:DFN5X6-8

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Descripción general del producto WINSOK MOSFET

El voltaje del MOSFET WSD6060DN56 es de 60 V, la corriente es de 65 A, la resistencia es de 7,5 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.

Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET

MOSFET para cigarrillos electrónicos, MOSFET de carga inalámbrica, MOSFET para motores, MOSFET para drones, MOSFET para atención médica, MOSFET para cargadores de automóviles, MOSFET para controladores, MOSFET para productos digitales, MOSFET para pequeños electrodomésticos, MOSFET para electrónica de consumo.

WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.

Parámetros MOSFET

Símbolo	Parámetro		Clasificación	Unidad
Calificaciones comunes
VDSS	Voltaje de drenaje-fuente		60	V
VGSS	Voltaje puerta-fuente		±20	V
T_J	Temperatura máxima de unión		150	°C
TSTG	Rango de temperatura de almacenamiento		-55 a 150	°C
I_S	Corriente directa continua del diodo	T_c=25°C	30	A
ID	Corriente de drenaje continua	T_c=25°C	65	A
ID	Corriente de drenaje continua	T_c=70°C	42	A
Yo DM b	Corriente de drenaje de pulso probada	T_c=25°C	250	A
P_D	Disipación de potencia máxima	T_c=25°C	62,5	W
P_D	Disipación de potencia máxima	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Unión de resistencia térmica a plomo	Estado estable	2.1	°C/W
RqJA	Unión de resistencia térmica al ambiente	t £ 10	45	°C/W
RqJA	Unión de resistencia térmica al ambiente	Estado estable^b	50	°C/W
YO COMO^d	Corriente de avalancha, pulso único	L=0,5 mH	18	A
E AS d	Energía de avalancha, pulso único	L=0,5 mH	81	mJ

Símbolo	Parámetro	Condiciónes de la prueba		Mín.	Tipo.	Máx.	Unidad
Características estáticas
BV_DSS	Voltaje de ruptura drenaje-fuente	V_GS=0V, yo_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero	V_DS=48V,V_GS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(ésimo)	Voltaje de umbral	V_DS=V_GS, I_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Corriente de fuga de puerta	V_GS=±20V, V_DS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ENCENDIDO) 3	Resistencia en estado de fuente de drenaje	V_GS= 10 V, yo_DS=20A		-	7.5	10	m W
R DS(ENCENDIDO) 3	Resistencia en estado de fuente de drenaje	V_GS= 4,5 V, yo_DS=15 A		-	10	15	m W
Características del diodo
VSD	Voltaje directo del diodo	I_SD=1A,V_GS=0V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Tiempo de recuperación inversa	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/μs		-	42	-	ns
Q_rr	Cargo de recuperación inversa	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/μs		-	36	-	nC
Características dinámicas^3,4
R_G	Resistencia de la puerta	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_es	Capacitancia de entrada	V_GS=0V, V_DS= 30 V, F=1.0MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Capacitancia de salida			-	270	-
C_rss	Capacitancia de transferencia inversa			-	40	-
td(ENCENDIDO)	Tiempo de retardo de encendido	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Tiempo de subida de encendido			-	6	-
td(apagado)	Tiempo de retardo de apagado			-	33	-
t_f	Tiempo de caída de apagado			-	30	-
Características de carga de puerta ^3,4
Q_g	Cargo total de puerta	V_DS= 30 V, V_GS= 4,5 V, yo_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Cargo total de puerta	V_DS=30V,V_GS= 10 V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	Cargo de puerta de umbral			-	4.1	-
Q_gs	Cargo puerta-fuente			-	5	-
Q_gd	Carga de drenaje de puerta			-	4.2	-