WSD6070DN56 MOSFET WINSOK de canal N 60V 80A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD6070DN56 es de 60 V, la corriente es de 80 A, la resistencia es de 7,3 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
MOSFET para cigarrillos electrónicos, MOSFET para carga inalámbrica, MOSFET para motores, MOSFET para drones, MOSFET para atención médica, MOSFET para cargadores de automóviles, MOSFET para controladores, MOSFET para productos digitales, MOSFET para pequeños electrodomésticos, MOSFET para electrónica de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 60 | V |
| VGS | Puerta-Source voltaje | ±20 | V |
| TJ | Temperatura máxima de unión | 150 | °C |
| ID | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | °C |
| IS | Corriente directa continua del diodo, TC=25°C | 80 | A |
| ID | Corriente de drenaje continua, VGS=10V,TC=25°C | 80 | A |
| Corriente de drenaje continua, VGS=10V,TC=100°C | 66 | A | |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada, TC=25°C | 300 | A |
| PD | Disipación de potencia máxima,TC=25°C | 150 | W |
| Disipación de potencia máxima,TC=100°C | 75 | W | |
| RθJA | Resistencia Térmica-Unión al Ambiente,t =10s ̀ | 50 | °C/W |
| Unión de resistencia térmica al ambiente, estado estable | 62,5 | °C/W | |
| RqJC | Unión de resistencia térmica a la caja | 1 | °C/W |
| NIC | Corriente de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH | 30 | A |
| EAS | Energía de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH | 225 | mJ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS=10V, yoD=40A | --- | 7.0 | 9.0 | mΩ |
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(ésimo) | VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=48V , VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V , VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=5V, yoD=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (10 V) | VDS=30V , VGS= 10 V, yoD=40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 12 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=30V , VGEN=10 V , RG=1Ω, ID=1A, RL=15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 10 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 40 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 35 | --- | ||
| Ces | Capacitancia de entrada | VDS=30V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 386 | --- | ||
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 160 | --- |
