WSD60N10GDN56 MOSFET WINSOK de canal N 100V 60A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD60N10GDN56 es de 100 V, la corriente es de 60 A, la resistencia es de 8,5 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
MOSFET para cigarrillos electrónicos, MOSFET para carga inalámbrica, MOSFET para motores, MOSFET para drones, MOSFET para atención médica, MOSFET para cargadores de automóviles, MOSFET para controladores, MOSFET para productos digitales, MOSFET para pequeños electrodomésticos, MOSFET para electrónica de consumo.
Campos de aplicación MOSFETWINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas
MOSFET AOS AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,MOSFET FAIRCHILD NTMFS6B14N.MOSFET VISHAY SiR84DP,SiR87ADP.INFINEON,MOSFET IR BSC19N1NS3G.MOSFET TOSHIBA TPH6R3ANL,TPH8 R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semiconductor MOSFET PDC92X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 100 | V |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corriente de drenaje continua | 60 | A |
| desplazado interno | Corriente de drenaje pulsada | 210 | A |
| EAS | Energía de avalancha, pulso único | 100 | mJ |
| PD@TC= 25 ℃ | Disipación total de energía | 125 | W. |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=250uA | 100 | --- | --- | V |
| Resistencia estática de la fuente de drenaje | VGS=10V,ID=10A. | --- | 8.5 | 10. 0 | mΩ | |
| RDS (encendido) | VGS=4,5 V, ID=10A. | --- | 9.5 | 12. 0 | mΩ | |
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=80V , VGS=0V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Carga total de la puerta (10 V) | VDS=50V , VGS= 10 V, yoD=25A | --- | 49,9 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 12.4 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=50V , VGS= 10 V,RG=2,2Ω, yoD=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 5 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 51,8 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 9 | --- | ||
| Ces | Capacitancia de entrada | VDS=50V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 362 | --- | ||
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | Corriente de fuente continua | VG=VD= 0 V, corriente de fuerza | --- | --- | 60 | A |
| ISP | Corriente de fuente pulsada | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | Voltaje directo del diodo | VGS=0V, yoS=12A, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Tiempo de recuperación inversa | SI=12A,dI/dt=100A/μs,TJ= 25 ℃ | --- | 60,4 | --- | nS |
| Qrr | Cargo de recuperación inversa | --- | 106.1 | --- | nC |
