WSD60N12GDN56 MOSFET WINSOK de canal N 120V 70A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD60N12GDN56 es de 120 V, la corriente es de 70 A, la resistencia es de 10 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
MOSFET para equipos médicos, MOSFET para drones, MOSFET para fuentes de alimentación PD, MOSFET para fuentes de alimentación LED, MOSFET para equipos industriales.
Campos de aplicación MOSFETWINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC974X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 120 | V |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corriente de drenaje continua | 70 | A |
| desplazado interno | Corriente de drenaje pulsada | 150 | A |
| EAS | Energía de avalancha, pulso único | 53,8 | mJ |
| PD@TC= 25 ℃ | Disipación total de la energía | 140 | W. |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=250uA | 120 | --- | --- | V |
| Resistencia estática de la fuente de drenaje | VGS=10V,ID=10A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
| RDS (encendido) | VGS=4,5 V, ID=10A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral | VGS=VDS, ID=250uA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=80V , VGS=0V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Carga total de la puerta (10 V) | VDS=50V , VGS= 10 V, yoD=25A | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 7.2 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=50V , VGS= 10 V, RG=2Ω, yoD=25A | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | Hora de levantarse | --- | 10 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 85 | --- | ||
| Tf | Otoño | --- | 112 | --- | ||
| Ces | Capacitancia de entrada | VDS=50V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 330 | --- | ||
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 11 | --- | ||
| IS | Corriente de fuente continua | VG=VD= 0 V, corriente de fuerza | --- | --- | 50 | A |
| ISP | Corriente de fuente pulsada | --- | --- | 150 | A | |
| VSD | Voltaje directo del diodo | VGS=0V, yoS=12A, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Tiempo de recuperación inversa | SI=25A,dI/dt=100A/μs,TJ= 25 ℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | Cargo de recuperación inversa | --- | 135 | --- | nC |
