WSD75N12GDN56 MOSFET WINSOK de canal N 120V 75A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD75N12GDN56 es de 120 V, la corriente es de 75 A, la resistencia es de 6 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
Equipos médicos MOSFET, drones MOSFET, fuentes de alimentación PD MOSFET, fuentes de alimentación LED MOSFET, equipos industriales MOSFET.
Campos de aplicación MOSFETWINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDSS | Voltaje de drenaje a fuente | 120 | V |
| VGS | Voltaje de puerta a fuente | ±20 | V |
| ID | 1 Corriente de drenaje continuo (Tc=25 ℃) | 75 | A |
| ID | 1 Corriente de drenaje continuo (Tc=70 ℃) | 70 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada | 320 | A |
| Iar | Corriente de avalancha de pulso único | 40 | A |
| EASa | Energía de avalancha de pulso único | 240 | mJ |
| PD | Disipación de energía | 125 | W |
| TJ,Tstg | Rango de temperatura de almacenamiento y unión operativa | -55 a 150 | ℃ |
| TL | Temperatura máxima para soldar | 260 | ℃ |
| RθJC | Resistencia térmica, unión a caja | 1.0 | °C/W |
| RθJA | Resistencia térmica, unión a ambiente | 50 | °C/W |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidades |
| VDSS | Drenaje a fuente de voltaje de ruptura | VGS=0 V, ID=250 µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Drenar a la fuente de corriente de fuga | VDS = 120 V, VGS = 0 V | -- | -- | 1 | mA |
| IGSS(F) | Puerta a fuente de fuga directa | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Fuga inversa de puerta a fuente | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Voltaje de umbral de puerta | VDS=VGS, ID = 250 µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ENCENDIDO)1 | Resistencia de drenaje a fuente | VGS=10V, identificación=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gfs | Transconductancia directa | VDS=5V, identificación=50A | 130 | -- | S | |
| ciss | Capacitancia de entrada | VGS = 0 V VDS = 50 V f =1,0MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | -- | 429 | -- | pF | |
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Resistencia de la puerta | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(ENCENDIDO) | Tiempo de retardo de encendido | ID = 20 A VDS = 50 V VGS = 10 V RG = 5 Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | tiempo de subida | -- | 11 | -- | ns | |
| td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | tiempo de otoño | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Cargo total de puerta | VGS = 0~10 V VDS = 50 VIdentificación = 20A | -- | 61,4 | -- | nC |
| Qgs | Cargo de fuente de puerta | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Cargo por drenaje de compuerta | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Corriente directa del diodo | CT = 25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISMO | Corriente de pulso de diodo | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Voltaje directo del diodo | IS=6.0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Tiempo de recuperación inversa | ES=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| qrr | Cargo de recuperación inversa | -- | 250 | -- | nC |
