WSD80100DN56 MOSFET WINSOK de canal N 80V 100A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD80100DN56 es de 80 V, la corriente es de 100 A, la resistencia es de 6,1 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
Drones MOSFET, motores MOSFET, electrónica automotriz MOSFET, grandes electrodomésticos MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Semiconductor MOSFET PDC7966X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 80 | V |
| VGS | Puerta-Source voltaje | ±20 | V |
| TJ | Temperatura máxima de unión | 150 | °C |
| ID | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | °C |
| ID | Corriente de drenaje continua, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Corriente de drenaje continua, VGS=10V,TC=100°C | 80 | A | |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada, TC=25°C | 380 | A |
| PD | Disipación de potencia máxima,TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | Unión de resistencia térmica a la caja | 0,8 | °C |
| EAS | Energía de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH | 800 | mJ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje2 | VGS=10V, yoD=40A | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VSG(ésimo) | VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=48V , VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V , VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=5V, yoD=20A | 80 | --- | --- | S |
| Qg | Carga total de la puerta (10 V) | VDS=30V , VGS= 10 V, yoD=30A | --- | 125 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 24 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 30 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=30V , VGS= 10 V, RG=2.5Ω, ID=2A,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 19 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 70 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 30 | --- | ||
| Ces | Capacitancia de entrada | VDS=25V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 410 | --- | ||
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 315 | --- |
