WSD80120DN56 MOSFET WINSOK de canal N 85V 120A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD80120DN56 es de 85 V, la corriente es de 120 A, la resistencia es de 3,7 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
MOSFET de voltaje médico, MOSFET para equipos fotográficos, MOSFET para drones, MOSFET de control industrial, MOSFET 5G, MOSFET para electrónica automotriz.
WINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas.
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 85 | V |
| VGS | Puerta-Source voltaje | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Corriente de drenaje continua, VGS@ 10V | 96 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada..TC=25°C | 384 | A |
| EAS | Energía de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH | 320 | mJ |
| NIC | Corriente de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de energía | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | Disipación total de energía | 53 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 175 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | 175 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, yoD=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje | VGS=10V,yoD=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VSG(ésimo) | VSG(ésimo)Coeficiente de temperatura | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=85V , VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V , VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±25V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (10 V) | VDS=50V , VGS= 10 V, yoD=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 11 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=50V , VGS= 10 V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 18 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 36 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 10 | --- | ||
| Ces | Capacitancia de entrada | VDS=40V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 395 | --- | ||
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 180 | --- |
