WSF4022 MOSFET WINSOK de doble canal N 40V 20A TO-252-4L
Descripción general
El WSF4022 es el MOSFET Dual N-Ch de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RDSON y carga de puerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono. El WSF4022 cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos. 100% EAS garantizado con función completa. Fiabilidad aprobada.
Características
Para puente H precontrolador de ventilador, control de motor, rectificación síncrona, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, fuentes de alimentación de emergencia, drones, atención médica, cargadores de automóvil, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo.
Aplicaciones
Para puente H precontrolador de ventilador, control de motor, rectificación síncrona, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, fuentes de alimentación de emergencia, drones, atención médica, cargadores de automóvil, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo.
número de material correspondiente
AOS
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades | |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 40 | V | |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | V | |
| ID | Corriente de drenaje (continua) *CA | CT=25°C | 20* | A |
| ID | Corriente de drenaje (continua) *CA | CT=100°C | 20* | A |
| ID | Corriente de drenaje (continua) *CA | TA=25°C | 12.2 | A |
| ID | Corriente de drenaje (continua) *CA | TA=70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Corriente de drenaje pulsada | CT=25°C | 80* | A |
| EASB | Energía de avalancha de pulso único | L=0,5 mH | 25 | mJ |
| NIC b | Corriente de avalancha | L=0,5 mH | 17.8 | A |
| PD | Disipación de potencia máxima | CT=25°C | 39,4 | W |
| PD | Disipación de potencia máxima | CT=100°C | 19.7 | W |
| PD | Disipación de potencia | TA=25°C | 6.4 | W |
| PD | Disipación de potencia | TA=70°C | 4.2 | W |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | 175 | ℃ | |
| TSTG | Temperatura de funcionamiento/temperatura de almacenamiento | -55~175 | ℃ | |
| RθJA b | Unión de resistencia térmica-ambiente | Estado estacionario c | 60 | °C/W |
| RθJC | Unión de resistencia térmica a caja | 3.8 | °C/W |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| Estático | ||||||
| V(BR)DSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 40 | V | ||
| IDSS | Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero | VDS = 32 V, VGS = 0 V | 1 | mA | ||
| IDSS | Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero | VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C | 30 | mA | ||
| IGSS | Corriente de fuga de puerta | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | ||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(encendido)d | Resistencia en estado de fuente de drenaje | VGS = 10 V, ID = 10 A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4,5 V, ID = 5 A | 18 | 25 | mΩ | |||
| Encargado de la puerta | ||||||
| Qg | Cargo total de puerta | VDS=20V,VGS=4,5V, ID=10A | 7.5 | nC | ||
| Qgs | Cargo puerta-fuente | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | 2,75 | nC | |||
| dinámica | ||||||
| ciss | Capacitancia de entrada | VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz | 815 | pF | ||
| cos | Capacitancia de salida | 95 | pF | |||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | 60 | pF | |||
| td (encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω. | 7.8 | ns | ||
| tr | Tiempo de subida de encendido | 6.9 | ns | |||
| td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | 22.4 | ns | |||
| tf | Tiempo de caída de apagado | 4.8 | ns | |||
| Diodo | ||||||
| VSDd | Voltaje directo del diodo | ISD=1A, VGS=0V | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Capacitancia de entrada | IDS=10A, dlSD/dt=100A/μs | 13 | ns | ||
| qrr | Capacitancia de salida | 8.7 | nC | |||
