MOSFET WINSOK WSF6012 N&P-Canal 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L
Descripción General
El MOSFET WSF6012 es un dispositivo de alto rendimiento con un diseño de alta densidad de celdas. Proporciona un excelente RDSON y carga de puerta adecuada para la mayoría de aplicaciones de convertidor reductor síncrono. Además, cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos, y viene con una garantía EAS del 100 % para una funcionalidad y confiabilidad totales.
Características
Tecnología de zanja avanzada con alta densidad de celda, carga de compuerta súper baja, excelente disminución del efecto CdV/dt, garantía EAS del 100 % y opciones de dispositivos respetuosas con el medio ambiente.
Aplicaciones
Convertidor reductor síncrono de punto de carga de alta frecuencia, sistema de alimentación CC-CC de red, interruptor de carga, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, suministros de energía de emergencia, drones, atención médica, cargadores de automóvil, controladores, dispositivos digitales, pequeños electrodomésticos, y electrónica de consumo.
número de material correspondiente
AOS AOD603A,
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades | |
| Canal N | Canal P | |||
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 60 | -60 | V |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | ±20 | V |
| ID @ TC = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1 | 20 | -15 | A |
| ID @ TC = 70 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1 | 15 | -10 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | 46 | -36 | A |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 200 | 180 | mJ |
| NIC | Corriente de avalancha | 59 | -50 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de energía4 | 34,7 | 34,7 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25 ℃, ID = 1 mA | --- | 0.063 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 | VGS=10V, ID=8A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =250uA | 1 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Coeficiente de temperatura | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=5V, ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.0 | 4.5 | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (4,5 V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=8A | --- | 12.6 | 20 | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 3.5 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 6.3 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=30V, VGS=4,5V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 14.2 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 24.6 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 4.6 | --- | ||
| ciss | Capacitancia de entrada | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 670 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 70 | --- | ||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 35 | --- |
