WSF70P02 Canal P -20V -70A TO-252 MOSFET WINSOK
Descripción General
El MOSFET WSF70P02 es el dispositivo de zanja de canal P de alto rendimiento con alta densidad de celdas. Ofrece excelente RDSON y carga de puerta para la mayoría de aplicaciones de convertidor reductor síncrono. El dispositivo cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos, tiene una garantía EAS 100% y ha sido aprobado para una confiabilidad total de su funcionamiento.
Características
Tecnología de trinchera avanzada con alta densidad de celdas, carga de puerta súper baja, excelente reducción del efecto CdV/dt, garantía EAS del 100 % y opciones para dispositivos respetuosos con el medio ambiente.
Aplicaciones
Punto de carga síncrono de alta frecuencia, convertidor reductor para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de alimentación CC-CC en red, interruptor de carga, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, fuentes de alimentación de emergencia, drones, atención médica, cargadores de automóviles , controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo.
número de material correspondiente
AOS
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades | |
| 10 | Estado estable | |||
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | -20 | V | |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±12 | V | |
| ID @ TC = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ -10V1 | -70 | A | |
| ID @ TC = 100 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ -10V1 | -36 | A | |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | -200 | A | |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 360 | mJ | |
| NIC | Corriente de avalancha | -55,4 | A | |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de energía4 | 80 | W | |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ | |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ | |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25 ℃, ID = -1 mA | --- | -0.018 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 | VGS=-4,5 V, ID=-15A | --- | 6.8 | 9.0 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, ID=-10A | --- | 8.2 | 11 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =-250uA | -0,4 | -0,6 | -1.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Coeficiente de temperatura | --- | 2.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 45 | --- | S |
| Qg | Carga total de la puerta (-4,5 V) | VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-10A | --- | 63 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 9.1 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 13 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=-10V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-10A | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 77 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 195 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 186 | --- | ||
| ciss | Capacitancia de entrada | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5783 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 520 | --- | ||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 445 | --- |
