WSM320N04G MOSFET WINSOK de canal N 40V 320A TOLL-8L
Descripción general
El WSM320N04G es un MOSFET de alto rendimiento que utiliza un diseño de zanja y tiene una densidad de celda muy alta.Tiene excelente RDSON y carga de puerta y es adecuado para la mayoría de aplicaciones de convertidor reductor síncrono.El WSM320N04G cumple con los requisitos de RoHS y de productos ecológicos y se garantiza que tiene 100% EAS y confiabilidad de funcionamiento total.
Características
Tecnología avanzada de zanja de alta densidad celular, al mismo tiempo que presenta una carga de puerta baja para un rendimiento óptimo.Además, cuenta con una excelente disminución del efecto CdV/dt, una garantía EAS del 100% y una opción ecológica.
Aplicaciones
Convertidor reductor síncrono de punto de carga de alta frecuencia, sistema de alimentación CC-CC de red, aplicación de herramientas eléctricas, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, drones, productos médicos, carga de automóviles, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos y electrónica de consumo.
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades | |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 40 | V | |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | V | |
| ID @ TC = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1,7 | 320 | A | |
| ID @ TC = 100 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1,7 | 192 | A | |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | 900 | A | |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 980 | mJ | |
| NIC | Corriente de avalancha | 70 | A | |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de energía4 | 250 | W | |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 175 | ℃ | |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 175 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0.050 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 1.2 | 1.5 | mΩ |
| RDS (encendido) | Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 | VGS=4,5 V, ID=20A | --- | 1.7 | 2.5 | mΩ |
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral | VGS=VDS, identificación =250uA | 1.2 | 1.7 | 2.6 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Coeficiente de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=5V, ID=50A | --- | 160 | --- | S |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (10 V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=25A | --- | 130 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 43 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 83 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A. | --- | 30 | --- | ns |
| Tr | Hora de levantarse | --- | 115 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Otoño | --- | 80 | --- | ||
| ciss | Capacitancia de entrada | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8100 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 1200 | --- | ||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 800 | --- |
