WSM340N10G MOSFET WINSOK de canal N 100V 340A TOLL-8L

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WSM340N10G MOSFET WINSOK de canal N 100V 340A TOLL-8L

breve descripción:


  • Número de modelo:WSM340N10G
  • BVDSS:100V
  • RDSON:1,6 mΩ
  • IDENTIFICACIÓN:340A
  • Canal:canal N
  • Paquete:PEAJE-8L
  • Resumen del producto:El voltaje del MOSFET WSM340N10G es de 100 V, la corriente es de 340 A, la resistencia es de 1,6 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es TOLL-8L.
  • Aplicaciones:Equipos médicos, drones, fuentes de alimentación PD, fuentes de alimentación LED, equipos industriales, etc.
  • Detalle del producto

    Solicitud

    Etiquetas de producto

    Descripción General

    El WSM340N10G es el MOSFET N-Ch de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RDSON y carga de compuerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono. El WSM340N10G cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos, 100% EAS garantizado con confiabilidad de función completa aprobada.

    Características

    Tecnología avanzada de trinchera de alta densidad celular, carga de puerta súper baja, excelente disminución del efecto CdV/dt, EAS 100% garantizado, dispositivo ecológico disponible.

    Aplicaciones

    Rectificación síncrona, Convertidor CC/CC, Interruptor de carga, Equipos médicos, drones, fuentes de alimentación PD, fuentes de alimentación LED, equipos industriales, etc.

    Parámetros importantes

    Calificaciones máximas absolutas

    Símbolo Parámetro Clasificación Unidades
    VDS Voltaje de drenaje-fuente 100 V
    VGS Voltaje puerta-fuente ±20 V
    ID @ TC = 25 ℃ Corriente de drenaje continuo, VGS a 10 V 340 A
    ID @ TC = 100 ℃ Corriente de drenaje continuo, VGS a 10 V 230 A
    IDM Corriente de drenaje pulsada..TC=25°C 1150 A
    EAS Energía de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH 1800 mJ
    NIC Corriente de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH 120 A
    PD@TC=25℃ Disipación total de energía 375 W
    PD@TC=100℃ Disipación total de energía 187 W
    TSTG Rango de temperatura de almacenamiento -55 a 175
    TJ Rango de temperatura de funcionamiento de la unión 175

    Características eléctricas (TJ=25 ℃, a menos que se indique lo contrario)

    Símbolo Parámetro Condiciones Mín. Tipo. Máx. Unidad
    BVDSS Voltaje de ruptura drenaje-fuente VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficiente de temperatura BVDSS Referencia a 25℃, ID=1mA --- 0.096 --- V/℃
    RDS (encendido) Resistencia estática de la fuente de drenaje VGS=10V,ID=50A --- 1.6 2.3
    VGS(ésimo) Voltaje de umbral de puerta VGS=VDS, identificación =250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △VGS(th) VGS(th) Coeficiente de temperatura --- -5.5 --- mV/℃
    IDSS Corriente de fuga de la fuente de drenaje VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Corriente de fuga puerta-fuente VGS=±25V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Resistencia de la puerta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.0 --- Ω
    Qg Carga total de la puerta (10 V) VDS=50V, VGS=10V, ID=50A --- 260 --- nC
    Qgs Cargo puerta-fuente --- 80 ---
    Qgd Carga de drenaje de puerta --- 60 ---
    Td(encendido) Tiempo de retardo de encendido VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. --- 88 --- ns
    Tr tiempo de subida --- 50 ---
    Td(apagado) Tiempo de retardo de apagado --- 228 ---
    Tf tiempo de otoño --- 322 ---
    ciss Capacitancia de entrada VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz --- 13900 --- pF
    cos Capacitancia de salida --- 6160 ---
    crss Capacitancia de transferencia inversa --- 220 ---

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