WSM340N10G MOSFET WINSOK de canal N 100V 340A TOLL-8L

MOSFET WINSOK TOLL-8L de 100 V y 340 A de canal N WSM340N10G Imagen destacada

breve descripción:

Número de modelo:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1,6 mΩ

IDENTIFICACIÓN:340A

Canal:canal N

Paquete:PEAJE-8L

Resumen del producto:El voltaje del MOSFET WSM340N10G es de 100 V, la corriente es de 340 A, la resistencia es de 1,6 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es TOLL-8L.

Aplicaciones:Equipos médicos, drones, fuentes de alimentación PD, fuentes de alimentación LED, equipos industriales, etc.

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Descripción General

El WSM340N10G es el MOSFET N-Ch de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RDSON y carga de compuerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono. El WSM340N10G cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos, 100% EAS garantizado con confiabilidad de función completa aprobada.

Características

Tecnología avanzada de trinchera de alta densidad celular, carga de puerta súper baja, excelente disminución del efecto CdV/dt, EAS 100% garantizado, dispositivo ecológico disponible.

Aplicaciones

Rectificación síncrona, Convertidor CC/CC, Interruptor de carga, Equipos médicos, drones, fuentes de alimentación PD, fuentes de alimentación LED, equipos industriales, etc.

Parámetros importantes

Calificaciones máximas absolutas

Símbolo	Parámetro	Clasificación	Unidades
VDS	Voltaje de drenaje-fuente	100	V
VGS	Voltaje puerta-fuente	±20	V
ID @ TC = 25 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS a 10 V	340	A
ID @ TC = 100 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS a 10 V	230	A
IDM	Corriente de drenaje pulsada..TC=25°C	1150	A
EAS	Energía de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH	1800	mJ
NIC	Corriente de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH	120	A
PD@TC=25℃	Disipación total de energía	375	W
PD@TC=100℃	Disipación total de energía	187	W
TSTG	Rango de temperatura de almacenamiento	-55 a 175	℃
TJ	Rango de temperatura de funcionamiento de la unión	175	℃

Características eléctricas (TJ=25 ℃, a menos que se indique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Condiciones	Mín.	Tipo.	Máx.	Unidad
BVDSS	Voltaje de ruptura drenaje-fuente	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referencia a 25℃, ID=1mA	---	0.096	---	V/℃
RDS (encendido)	Resistencia estática de la fuente de drenaje	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(ésimo)	Voltaje de umbral de puerta	VGS=VDS, identificación =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) Coeficiente de temperatura	VGS=VDS, identificación =250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Corriente de fuga de la fuente de drenaje	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corriente de fuga de la fuente de drenaje	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Corriente de fuga puerta-fuente	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Resistencia de la puerta	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Carga total de la puerta (10 V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Cargo puerta-fuente		---	80	---
Qgd	Carga de drenaje de puerta		---	60	---
Td(encendido)	Tiempo de retardo de encendido	VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	tiempo de subida		---	50	---
Td(apagado)	Tiempo de retardo de apagado		---	228	---
Tf	tiempo de otoño		---	322	---
ciss	Capacitancia de entrada	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
cos	Capacitancia de salida		---	6160	---
crss	Capacitancia de transferencia inversa		---	220	---