WSM340N10G MOSFET WINSOK de canal N 100V 340A TOLL-8L
Descripción General
El WSM340N10G es el MOSFET N-Ch de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RDSON y carga de compuerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono. El WSM340N10G cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos, 100% EAS garantizado con confiabilidad de función completa aprobada.
Características
Tecnología avanzada de trinchera de alta densidad celular, carga de puerta súper baja, excelente disminución del efecto CdV/dt, EAS 100% garantizado, dispositivo ecológico disponible.
Aplicaciones
Rectificación síncrona, Convertidor CC/CC, Interruptor de carga, Equipos médicos, drones, fuentes de alimentación PD, fuentes de alimentación LED, equipos industriales, etc.
Parámetros importantes
Calificaciones máximas absolutas
Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 100 | V |
VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | V |
ID @ TC = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS a 10 V | 340 | A |
ID @ TC = 100 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS a 10 V | 230 | A |
IDM | Corriente de drenaje pulsada..TC=25°C | 1150 | A |
EAS | Energía de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH | 1800 | mJ |
NIC | Corriente de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH | 120 | A |
PD@TC=25℃ | Disipación total de energía | 375 | W |
PD@TC=100℃ | Disipación total de energía | 187 | W |
TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 175 | ℃ |
TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | 175 | ℃ |
Características eléctricas (TJ=25 ℃, a menos que se indique lo contrario)
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
RDS (encendido) | Resistencia estática de la fuente de drenaje | VGS=10V,ID=50A | --- | 1.6 | 2.3 | mΩ |
VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(th) | VGS(th) Coeficiente de temperatura | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
Qg | Carga total de la puerta (10 V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=50A | --- | 260 | --- | nC |
Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 80 | --- | ||
Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 60 | --- | ||
Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. | --- | 88 | --- | ns |
Tr | tiempo de subida | --- | 50 | --- | ||
Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 228 | --- | ||
Tf | tiempo de otoño | --- | 322 | --- | ||
ciss | Capacitancia de entrada | VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 13900 | --- | pF |
cos | Capacitancia de salida | --- | 6160 | --- | ||
crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 220 | --- |