WSP4016 MOSFET WINSOK de canal N 40V 15.5A SOP-8

MOSFET WINSOK SOP-8 de 40 V y 15,5 A de canal N WSP4016 Imagen destacada

Breve descripción:

Número de modelo:WSP4016

BVDSS:40V

RDSON:11,5 mΩ

IDENTIFICACIÓN:15.5A

Canal:canal N

Paquete:POE-8

Resumen del producto:El voltaje del MOSFET WSP4016 es de 40 V, la corriente es de 15,5 A, la resistencia es de 11,5 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es SOP-8.

Aplicaciones:Electrónica automotriz, luces LED, audio, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo, tableros de protección, etc.

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Descripción general

El WSP4016 es el MOSFET de canal N de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona excelentes RDSON y cargas de puerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono.El WSP4016 cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos, 100% EAS garantizado con confiabilidad de función completa aprobada.

Características

Tecnología avanzada de zanja de alta densidad celular, carga de puerta súper baja, excelente disminución del efecto CdV/dt, 100% EAS garantizado, dispositivo ecológico disponible.

Aplicaciones

Convertidores elevadores de LED blancos, sistemas automotrices, circuitos industriales de conversión CC/CC, electrónica automotriz, luces LED, audio, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo, tableros de protección, etc.

número de material correspondiente

AO AOSP66406, EN FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.

Parámetros importantes

Símbolo	Parámetro	Clasificación	Unidades
VDS	Voltaje de drenaje-fuente	40	V
VGS	Voltaje puerta-fuente	±20	V
ID @ TC = 25 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1	15.5	A
ID @ TC = 70 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1	8.4	A
IDM	Corriente de drenaje pulsada2	30	A
PD@TA=25℃	Disipación total de energía TA=25°C	2.08	W
PD@TA=70℃	Disipación total de energía TA=70°C	1.3	W
TSTG	Rango de temperatura de almacenamiento	-55 a 150	℃
TJ	Rango de temperatura de funcionamiento de la unión	-55 a 150	℃

Características eléctricas (TJ=25 ℃, a menos que se indique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Condiciones	Mín.	Tipo.	Máx.	Unidad
BVDSS	Voltaje de ruptura drenaje-fuente	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
RDS (encendido)	Resistencia activada de fuente de drenaje estática2	VGS=10V, ID=7A	---	8.5	11.5	mΩ
RDS (encendido)	Resistencia activada de fuente de drenaje estática2	VGS=4,5 V, ID=5A	---	11	14.5	mΩ
VGS(ésimo)	Voltaje de umbral	VGS=VDS, identificación =250uA	1.0	1.8	2.5	V
IDSS	Corriente de fuga de la fuente de drenaje	VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corriente de fuga de la fuente de drenaje	VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	25	uA
IGSS	Corriente de fuga puerta-fuente	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
novias	Transconductancia directa	VDS=5V, ID=15A	---	31	---	S
Qg	Carga total de la puerta (4,5 V)	VDS=20V, VGS=10V, ID=7A	---	20	30	nC
Qgs	Cargo puerta-fuente		---	3.9	---
Qgd	Carga de drenaje de puerta		---	3	---
Td(encendido)	Tiempo de retardo de encendido	VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω.	---	12.6	---	ns
Tr	Hora de levantarse		---	10	---
Td(apagado)	Tiempo de retardo de apagado		---	23.6	---
Tf	Otoño		---	6	---
ciss	Capacitancia de entrada	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	1125	---	pF
cos	Capacitancia de salida		---	132	---
crss	Capacitancia de transferencia inversa		---	70	---