WSP4016 MOSFET WINSOK de canal N 40V 15.5A SOP-8
Descripción General
El WSP4016 es el MOSFET de canal N de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona excelentes RDSON y cargas de puerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono. El WSP4016 cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos, 100% EAS garantizado con confiabilidad de función completa aprobada.
Características
Tecnología avanzada de zanja de alta densidad celular, carga de puerta súper baja, excelente disminución del efecto CdV/dt, 100% EAS garantizado, dispositivo ecológico disponible.
Aplicaciones
Convertidores elevadores de LED blancos, sistemas automotrices, circuitos industriales de conversión CC/CC, electrónica automotriz, luces LED, audio, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo, tableros de protección, etc.
número de material correspondiente
AO AOSP66406, EN FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 40 | V |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | V |
| ID @ TC = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1 | 15.5 | A |
| ID @ TC = 70 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1 | 8.4 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | 30 | A |
| PD@TA=25℃ | Disipación total de energía TA=25°C | 2.08 | W |
| PD@TA=70℃ | Disipación total de energía TA=70°C | 1.3 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
Características eléctricas (TJ=25 ℃, a menos que se indique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS (encendido) | Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 | VGS=10V, ID=7A | --- | 8.5 | 11.5 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5A | --- | 11 | 14.5 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =250uA | 1.0 | 1.8 | 2.5 | V |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 25 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=5V, ID=15A | --- | 31 | --- | S |
| Qg | Carga total de la puerta (4,5 V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=7A | --- | 20 | 30 | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 3.9 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 3 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω. | --- | 12.6 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 10 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 23.6 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 6 | --- | ||
| ciss | Capacitancia de entrada | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1125 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 132 | --- | ||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 70 | --- |
Nota :
1.Prueba de pulso: PW<= ciclo de trabajo 300us<= 2%.
2.Garantizado por diseño, no sujeto a pruebas de producción.
