WSP4088 MOSFET WINSOK de canal N 40V 11A SOP-8

MOSFET WINSOK SOP-8 de 40 V y 11 A de canal N WSP4088 Imagen destacada

breve descripción:

Número de modelo:WSP4088

BVDSS:40V

RDSON:13mΩ

IDENTIFICACIÓN:11A

Canal:canal N

Paquete:POE-8

Resumen del producto:El voltaje del MOSFET WSP4088 es de 40 V, la corriente es de 11 A, la resistencia es de 13 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es SOP-8.

Aplicaciones:Cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, drones, medicina, carga de automóviles, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo, etc.

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Descripción General

El WSP4088 es el MOSFET de canal N de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda muy alta que proporciona un excelente RDSON y carga de puerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono. WSP4088 cumple con RoHS y los requisitos de productos ecológicos, garantía 100% EAS, confiabilidad de función completa aprobada.

Características

Dispositivos confiables, resistentes, ecológicos y sin plomo disponibles

Aplicaciones

Gestión de energía en computadoras de escritorio o convertidores CC/CC, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, drones, carga médica, automóviles, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo, etc.

número de material correspondiente

AO AO4884 AO4882, EN FDS4672A, PANJIT PJL9424, DINTEK DTM4916, etc.

Parámetros importantes

Clasificaciones máximas absolutas (TA = 25 C a menos que se indique lo contrario)

Símbolo	Parámetro		Clasificación	Unidad
Calificaciones comunes
VDSS	Voltaje de drenaje-fuente		40	V
VGSS	Voltaje puerta-fuente		±20	V
TJ	Temperatura máxima de unión		150	°C
TSTG	Rango de temperatura de almacenamiento		-55 a 150	°C
IS	Corriente directa continua del diodo	TA=25°C	2	A
ID	Corriente de drenaje continua	TA=25°C	11	A
ID	Corriente de drenaje continua	TA=70°C	8.4
IDM un	Corriente de drenaje pulsada	TA=25°C	30
PD	Disipación de potencia máxima	TA=25°C	2.08	W
PD	Disipación de potencia máxima	TA=70°C	1.3	W
RqJA	Unión de resistencia térmica al ambiente	£ 10 chelines	30	°C/W
RqJA	Unión de resistencia térmica al ambiente	Estado estable	60
RqJL	Unión de resistencia térmica a plomo	Estado estable	20
NIC b	Corriente de avalancha, pulso único	L=0,1 mH	23	A
EASb	Energía de avalancha, pulso único	L=0,1 mH	26	mJ

Nota a:Máx. La corriente está limitada por un cable de unión.
Nota b:Probado por UIS y ancho de pulso limitado por una temperatura máxima de unión de 150 oC (temperatura inicial Tj=25 oC).

Características eléctricas (TA = 25 C a menos que se indique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba		Mín.	Tipo.	Máx.	Unidad
Características estáticas
BVDSS	Voltaje de ruptura drenaje-fuente	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero		TJ=85°C	-	-	30	mA
VGS(ésimo)	Voltaje de umbral de puerta	VDS=VGS, IDS=250mA		1.5	1.8	2.5	V
IGSS	Corriente de fuga de puerta	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
RDS(ENCENDIDO) c	Resistencia en estado de fuente de drenaje	VGS=10V, IDS=7A		-	10.5	13	mW
			TJ=125°C	-	15,75	-
		VGS=4,5 V, IDS=5A		-	12	16
novias	Transconductancia directa	VDS=5V, IDS=15A		-	31	-	S
Características del diodo
VSDc	Voltaje directo del diodo	ISD=10A, VGS=0V		-	0,9	1.1	V
trr	Tiempo de recuperación inversa	VDD=20V,ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms		-	15.2	-	ns
ta	Tiempo de carga			-	9.4	-
tb	Tiempo de descarga			-	5.8	-
qrr	Cargo de recuperación inversa			-	9.5	-	nC
Características dinámicas d
RG	Resistencia de la puerta	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		0,7	1.1	1.8	W
ciss	Capacitancia de entrada	VGS = 0 V, VDS = 20 V, Frecuencia = 1,0 MHz		-	1125	-	pF
cos	Capacitancia de salida			-	132	-
crss	Capacitancia de transferencia inversa			-	70	-
td(ENCENDIDO)	Tiempo de retardo de encendido	VDD=20V, RL=20W,IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W		-	12.6	-	ns
tr	Tiempo de subida de encendido			-	10	-
td(apagado)	Tiempo de retardo de apagado			-	23.6	-
tf	Tiempo de caída de apagado			-	6	-
Características de carga de puerta d
Qg	Cargo total de puerta	VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=7A		-	9.4	-	nC
Qg	Cargo total de puerta	VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A		-	20	28
Qgth	Cargo de puerta de umbral			-	2	-
Qgs	Cargo puerta-fuente			-	3.9	-
Qgd	Carga de drenaje de puerta			-	3	-