WSP4099 MOSFET WINSOK de doble canal P -40V -6.5A SOP-8

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WSP4099 MOSFET WINSOK de doble canal P -40V -6.5A SOP-8

Breve descripción:


  • Número de modelo:WSP4099
  • BVDSS:-40V
  • RDSON:30mΩ
  • IDENTIFICACIÓN:-6.5A
  • Canal:Canal P dual
  • Paquete:POE-8
  • Resumen del producto:El MOSFET WSP4099 tiene un voltaje de -40 V, una corriente de -6,5 A, una resistencia de 30 mΩ, un canal P dual y viene en un paquete SOP-8.
  • Aplicaciones:Cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, drones, médicos, cargadores de automóviles, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo.
  • Detalle del producto

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    Etiquetas de productos

    Descripción general

    El WSP4099 es un potente MOSFET P-ch de trinchera con una alta densidad de células.Ofrece excelente RDSON y carga de puerta, lo que lo hace adecuado para la mayoría de aplicaciones de convertidor reductor síncrono.Cumple con los estándares RoHS y GreenProduct y tiene una garantía EAS del 100% con aprobación de confiabilidad de función completa.

    Características

    La tecnología de trinchera avanzada con alta densidad de células, carga de compuerta ultrabaja, excelente caída del efecto CdV/dt y una garantía EAS del 100 % son todas características de nuestros dispositivos ecológicos que están disponibles.

    Aplicaciones

    Convertidor reductor síncrono de punto de carga de alta frecuencia para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de alimentación CC-CC de red, interruptor de carga, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, drones, atención médica, cargadores de automóviles, controladores, productos digitales , pequeños electrodomésticos y electrónica de consumo.

    número de material correspondiente

    EN FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.

    Parámetros importantes

    Símbolo Parámetro Clasificación Unidades
    VDS Voltaje de drenaje-fuente -40 V
    VGS Voltaje puerta-fuente ±20 V
    ID @ TC = 25 ℃ Corriente de drenaje continuo, -VGS @ -10V1 -6,5 A
    ID @ TC = 100 ℃ Corriente de drenaje continuo, -VGS @ -10V1 -4,5 A
    IDM Corriente de drenaje pulsada2 -22 A
    EAS Energía de avalancha de pulso único3 25 mJ
    NIC Corriente de avalancha -10 A
    PD@TC=25℃ Disipación total de energía4 2.0 W
    TSTG Rango de temperatura de almacenamiento -55 a 150
    TJ Rango de temperatura de funcionamiento de la unión -55 a 150
    Símbolo Parámetro Condiciones Mín. Tipo. Máx. Unidad
    BVDSS Voltaje de ruptura drenaje-fuente VGS=0V, ID=-250uA -40 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficiente de temperatura BVDSS Referencia a 25 ℃, ID = -1 mA --- -0,02 --- V/℃
    RDS (encendido) Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 VGS=-10V, ID=-6.5A --- 30 38
    VGS=-4,5 V, ID=-4,5 A --- 46 62
    VGS(ésimo) Voltaje de umbral VGS=VDS, identificación =-250uA -1,5 -2.0 -2.5 V
    △VGS(th) VGS(th) Coeficiente de temperatura --- 3.72 --- V/℃
    IDSS Corriente de fuga de la fuente de drenaje VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Corriente de fuga puerta-fuente VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    novias Transconductancia directa VDS=-5V, identificación=-4A --- 8 --- S
    Qg Carga total de la puerta (-4,5 V) VDS=-20 V, VGS=-4,5 V, ID=-6,5 A --- 7.5 --- nC
    Qgs Cargo puerta-fuente --- 2.4 ---
    Qgd Carga de drenaje de puerta --- 3.5 ---
    Td(encendido) Tiempo de retardo de encendido VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω,

    ID=-1A, RL=20Ω

    --- 8.7 --- ns
    Tr Hora de levantarse --- 7 ---
    Td(apagado) Tiempo de retardo de apagado --- 31 ---
    Tf Otoño --- 17 ---
    ciss Capacitancia de entrada VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz --- 668 --- pF
    cos Capacitancia de salida --- 98 ---
    crss Capacitancia de transferencia inversa --- 72 ---

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