WSP4099 MOSFET WINSOK de doble canal P -40V -6.5A SOP-8
Descripción General
El WSP4099 es un potente MOSFET de canal P de trinchera con una alta densidad de células. Ofrece un excelente RDSON y carga de puerta, lo que lo hace adecuado para la mayoría de aplicaciones de convertidor reductor síncrono. Cumple con los estándares RoHS y GreenProduct y tiene una garantía EAS del 100% con aprobación de confiabilidad de función completa.
Características
La tecnología Trench avanzada con alta densidad de células, carga de compuerta ultrabaja, excelente caída del efecto CdV/dt y una garantía EAS del 100 % son todas características de nuestros dispositivos ecológicos que están disponibles.
Aplicaciones
Convertidor reductor síncrono de punto de carga de alta frecuencia para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de alimentación CC-CC de red, interruptor de carga, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, drones, atención médica, cargadores de automóviles, controladores, productos digitales , pequeños electrodomésticos y electrónica de consumo.
número de material correspondiente
EN FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | -40 | V |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | V |
| ID @ TC = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, -VGS @ -10V1 | -6,5 | A |
| ID @ TC = 100 ℃ | Corriente de drenaje continuo, -VGS @ -10V1 | -4,5 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | -22 | A |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 25 | mJ |
| NIC | Corriente de avalancha | -10 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de energía4 | 2.0 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25 ℃, ID = -1 mA | --- | -0.02 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 | VGS=-10V, ID=-6.5A | --- | 30 | 38 | mΩ |
| VGS=-4,5 V, ID=-4,5 A | --- | 46 | 62 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =-250uA | -1,5 | -2.0 | -2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Coeficiente de temperatura | --- | 3.72 | --- | V/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=-5V, ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
| Qg | Carga total de la puerta (-4,5 V) | VDS=-20 V, VGS=-4,5 V, ID=-6,5 A | --- | 7.5 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 2.4 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 3.5 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 7 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 31 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 17 | --- | ||
| ciss | Capacitancia de entrada | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 668 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 98 | --- | ||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 72 | --- |
