WSP4447 Canal P -40V -11A SOP-8 MOSFET WINSOK
Descripción General
El WSP4447 es un MOSFET de alto rendimiento que utiliza tecnología de trinchera y tiene una alta densidad de células. Ofrece excelente RDSON y carga de puerta, lo que lo hace adecuado para su uso en la mayoría de aplicaciones de convertidor reductor síncrono. El WSP4447 cumple con los estándares RoHS y de productos ecológicos, y viene con una garantía EAS del 100% para una confiabilidad total.
Características
La tecnología avanzada de Trench permite una mayor densidad de células, lo que da como resultado un dispositivo ecológico con una carga de puerta súper baja y una excelente disminución del efecto CdV/dt.
Aplicaciones
Convertidor de alta frecuencia para una variedad de productos electrónicos
Este convertidor está diseñado para alimentar de manera eficiente una amplia gama de dispositivos, incluidos portátiles, consolas de juegos, equipos de red, cigarrillos electrónicos, cargadores inalámbricos, motores, drones, dispositivos médicos, cargadores de automóviles, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos y productos de consumo. electrónica.
número de material correspondiente
AOS AO4425 AO4485, EN FDS4675, VISHAY Si4401FDY, ST STS10P4LLF6, TOSHIBA TPC8133, PANJIT PJL9421, Sinopower SM4403PSK, RUICHIPS RU40L10H.
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | -40 | V |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | V |
| Identificación @ TA = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ -10V1 | -11 | A |
| Identificación @ TA = 70 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ -10V1 | -9.0 | A |
| IDM un | Corriente de drenaje pulsada de 300 µs (VGS=-10 V) | -44 | A |
| EASb | Energía de avalancha, pulso único (L=0,1 mH) | 54 | mJ |
| NIC b | Corriente de avalancha, pulso único (L=0,1 mH) | -33 | A |
| PD@TA=25℃ | Disipación total de energía4 | 2.0 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25 ℃, ID = -1 mA | --- | -0.018 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 | VGS=-10V, ID=-13A | --- | 13 | 16 | mΩ |
| VGS=-4,5 V, ID=-5A | --- | 18 | 26 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =-250uA | -1.4 | -1.9 | -2.4 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Coeficiente de temperatura | --- | 5.04 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 18 | --- | S |
| Qg | Carga total de la puerta (-4,5 V) | VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A | --- | 32 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 5.2 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 8 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=-20V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=20Ω | --- | 14 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 12 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 41 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 22 | --- | ||
| ciss | Capacitancia de entrada | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1500 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 235 | --- | ||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 180 | --- |
