MOSFET WINSOK SOP-8 de doble canal N 30V 9.8A WSP4888

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MOSFET WINSOK SOP-8 de doble canal N 30V 9.8A WSP4888

breve descripción:


  • Número de modelo:WSP4888
  • BVDSS:30V
  • RDSON:13,5 mΩ
  • IDENTIFICACIÓN:9.8A
  • Canal:Canal N dual
  • Paquete:POE-8
  • Resumen del producto:El voltaje del MOSFET WSP4888 es de 30 V, la corriente es de 9,8 A, la resistencia es de 13,5 mΩ, el canal es de canal N dual y el paquete es SOP-8.
  • Aplicaciones:Cigarrillos electrónicos, cargadores inalámbricos, motores, drones, atención médica, cargadores de automóviles, controles, dispositivos digitales, pequeños electrodomésticos y electrónica para consumidores.
  • Detalle del producto

    Solicitud

    Etiquetas de producto

    Descripción General

    El WSP4888 es un transistor de alto rendimiento con una estructura de celda densa, ideal para usar en convertidores reductores síncronos. Cuenta con excelentes cargas de puerta y RDSON, lo que lo convierte en la mejor opción para estas aplicaciones. Además, el WSP4888 cumple con los requisitos de RoHS y de producto ecológico y viene con una garantía EAS del 100% para un funcionamiento confiable.

    Características

    La tecnología Advanced Trench presenta una alta densidad de celda y una carga de puerta súper baja, lo que reduce significativamente el efecto CdV/dt. Nuestros dispositivos vienen con una garantía EAS 100% y opciones respetuosas con el medio ambiente.

    Nuestros MOSFET se someten a estrictas medidas de control de calidad para garantizar que cumplan con los más altos estándares de la industria. Cada unidad se prueba minuciosamente en cuanto a rendimiento, durabilidad y confiabilidad, lo que garantiza una larga vida útil del producto. Su diseño robusto le permite soportar condiciones de trabajo extremas, asegurando la funcionalidad ininterrumpida del equipo.

    Precios competitivos: a pesar de su calidad superior, nuestros MOSFET tienen un precio altamente competitivo, lo que proporciona importantes ahorros de costos sin comprometer el rendimiento. Creemos que todos los consumidores deben tener acceso a productos de alta calidad y nuestra estrategia de precios refleja este compromiso.

    Amplia compatibilidad: nuestros MOSFET son compatibles con una variedad de sistemas electrónicos, lo que los convierte en una opción versátil para fabricantes y usuarios finales. Se integra perfectamente en los sistemas existentes, mejorando el rendimiento general sin requerir modificaciones importantes de diseño.

    Aplicaciones

    Convertidor reductor síncrono de punto de carga de alta frecuencia para uso en sistemas MB/NB/UMPC/VGA, redes de sistemas de alimentación CC-CC, interruptores de carga, cigarrillos electrónicos, cargadores inalámbricos, motores, drones, equipos médicos, cargadores de automóviles, controladores , Productos digitales, pequeños electrodomésticos y electrónica de consumo.

    número de material correspondiente

    AOS AO4832 AO4838 AO4914, EN NTMS4916N, VISHAY Si4128DY, INFINEON BSO150N03MD G, Sinopower SM4803DSK, dintek DTM4926 DTM4936, ruichips RU30D10H

    Parámetros importantes

    Símbolo Parámetro Clasificación Unidades
    VDS Voltaje de drenaje-fuente 30 V
    VGS Voltaje puerta-fuente ±20 V
    ID @ TC = 25 ℃ Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID @ TC = 70 ℃ Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1 8.0 A
    IDM Corriente de drenaje pulsada2 45 A
    EAS Energía de avalancha de pulso único3 25 mJ
    NIC Corriente de avalancha 12 A
    PD@TA=25℃ Disipación total de energía4 2.0 W
    TSTG Rango de temperatura de almacenamiento -55 a 150
    TJ Rango de temperatura de funcionamiento de la unión -55 a 150
    Símbolo Parámetro Condiciones Mín. Tipo. Máx. Unidad
    BVDSS Voltaje de ruptura drenaje-fuente VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficiente de temperatura BVDSS Referencia a 25 ℃, ID = 1 mA --- 0.034 --- V/℃
    RDS (encendido) Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 VGS=10V, ID=8.5A --- 13.5 18
           
        VGS = 4,5 V, ID = 5A --- 18 25  
    VGS(ésimo) Voltaje de umbral de puerta VGS=VDS, identificación =250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS(th) VGS(th) Coeficiente de temperatura   --- -5,8 --- mV/℃
    IDSS Corriente de fuga de la fuente de drenaje VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Corriente de fuga puerta-fuente VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    novias Transconductancia directa VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg Resistencia de la puerta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Carga total de la puerta (4,5 V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=8,8A --- 6 8.4 nC
    Qgs Cargo puerta-fuente --- 1.5 ---
    Qgd Carga de drenaje de puerta --- 2.5 ---
    Td(encendido) Tiempo de retardo de encendido VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr tiempo de subida --- 9.2 19
    Td(apagado) Tiempo de retardo de apagado --- 19 34
    Tf tiempo de otoño --- 4.2 8
    ciss Capacitancia de entrada VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 590 701 pF
    cos Capacitancia de salida --- 98 112
    crss Capacitancia de transferencia inversa --- 59 91

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