WSP6067A N&P-Canal 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

WSP6067A N&P-Channel 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 MOSFET WINSOK Imagen destacada

Breve descripción:

Número de modelo:WSP6067A

BVDSS:60V/-60V

RDSON:38mΩ/80mΩ

IDENTIFICACIÓN:7A/-5A

Canal:Canal N&P

Paquete:POE-8

Resumen del producto:El MOSFET WSP6067A tiene un rango de voltaje de 60 voltios positivos y negativos, un rango de corriente de 7 amperios positivos y 5 amperios negativos, un rango de resistencia de 38 miliohmios y 80 miliohmios, un canal N&P y está empaquetado en SOP-8.

Aplicaciones:Cigarrillos electrónicos, cargadores inalámbricos, motores, drones, atención médica, cargadores de automóviles, controles, dispositivos digitales, pequeños electrodomésticos y electrónica para consumidores.

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Descripción general

Los MOSFET WSP6067A son los más avanzados para la tecnología Trench P-ch, con una densidad de celdas muy alta.Ofrecen un rendimiento excelente tanto en términos de RDSON como de carga de puerta, adecuados para la mayoría de los convertidores reductores síncronos.Estos MOSFET cumplen con los criterios RoHS y de producto ecológico, y EAS 100% garantiza una confiabilidad funcional total.

Características

La tecnología avanzada permite la formación de zanjas de células de alta densidad, lo que da como resultado una carga de puerta súper baja y una decadencia superior del efecto CdV/dt.Nuestros dispositivos vienen con una garantía 100% EAS y son respetuosos con el medio ambiente.

Aplicaciones

Convertidor reductor síncrono de punto de carga de alta frecuencia, sistema de alimentación CC-CC de red, interruptor de carga, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, drones, equipos médicos, cargadores de automóviles, controladores, dispositivos electrónicos, pequeños electrodomésticos y electrónica de consumo .

número de material correspondiente

AOS

Parámetros importantes

Símbolo	Parámetro	Clasificación		Unidades
Símbolo	Parámetro	Canal N	Canal P	Unidades
VDS	Voltaje de drenaje-fuente	60	-60	V
VGS	Voltaje puerta-fuente	±20	±20	V
ID @ TC = 25 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1	7.0	-5.0	A
ID @ TC = 100 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1	4.0	-2.5	A
IDM	Corriente de drenaje pulsada2	28	-20	A
EAS	Energía de avalancha de pulso único3	22	28	mJ
NIC	Corriente de avalancha	21	-24	A
PD@TC=25℃	Disipación total de energía4	2.0	2.0	W
TSTG	Rango de temperatura de almacenamiento	-55 a 150	-55 a 150	℃
TJ	Rango de temperatura de funcionamiento de la unión	-55 a 150	-55 a 150	℃

Símbolo	Parámetro	Condiciones	Mín.	Tipo.	Máx.	Unidad
BVDSS	Voltaje de ruptura drenaje-fuente	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referencia a 25 ℃, ID = 1 mA	---	0.063	---	V/℃
RDS (encendido)	Resistencia activada de fuente de drenaje estática2	VGS=10V, ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS (encendido)	Resistencia activada de fuente de drenaje estática2	VGS=4,5 V, ID=4A	---	55	75	mΩ
VGS(ésimo)	Voltaje de umbral	VGS=VDS, identificación =250uA	1	2	3	V
△VGS(th)	VGS(th) Coeficiente de temperatura	VGS=VDS, identificación =250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Corriente de fuga de la fuente de drenaje	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corriente de fuga de la fuente de drenaje	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Corriente de fuga puerta-fuente	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
novias	Transconductancia directa	VDS=5V, ID=4A	---	28	---	S
Rg	Resistencia de la puerta	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Carga total de la puerta (4,5 V)	VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A	---	19	25	nC
Qgs	Cargo puerta-fuente		---	2.6	---
Qgd	Carga de drenaje de puerta		---	4.1	---
Td(encendido)	Tiempo de retardo de encendido	VDD=30V, VGS=10V, RG=3,3Ω, ID=1A	---	3	---	ns
Tr	Hora de levantarse		---	34	---
Td(apagado)	Tiempo de retardo de apagado		---	23	---
Tf	Otoño		---	6	---
ciss	Capacitancia de entrada	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1027	---	pF
cos	Capacitancia de salida		---	65	---
crss	Capacitancia de transferencia inversa		---	45	---