WSP6067A N&P-Canal 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 MOSFET WINSOK
Descripción General
Los MOSFET WSP6067A son los más avanzados para la tecnología Trench P-ch, con una densidad de celdas muy alta. Ofrecen un rendimiento excelente tanto en términos de RDSON como de carga de puerta, adecuados para la mayoría de los convertidores reductores síncronos. Estos MOSFET cumplen con los criterios RoHS y de producto ecológico, y EAS 100% garantiza una confiabilidad funcional total.
Características
La tecnología avanzada permite la formación de zanjas de células de alta densidad, lo que da como resultado una carga de puerta súper baja y una decadencia superior del efecto CdV/dt. Nuestros dispositivos vienen con una garantía 100% EAS y son respetuosos con el medio ambiente.
Aplicaciones
Convertidor reductor síncrono de punto de carga de alta frecuencia, sistema de alimentación CC-CC de red, interruptor de carga, cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, drones, equipos médicos, cargadores de automóviles, controladores, dispositivos electrónicos, pequeños electrodomésticos y electrónica de consumo .
número de material correspondiente
AOS
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades | |
| Canal N | Canal P | |||
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 60 | -60 | V |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±20 | ±20 | V |
| ID @ TC = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1 | 7.0 | -5.0 | A |
| ID @ TC = 100 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1 | 4.0 | -2.5 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | 28 | -20 | A |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único3 | 22 | 28 | mJ |
| NIC | Corriente de avalancha | 21 | -24 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de energía4 | 2.0 | 2.0 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25 ℃, ID = 1 mA | --- | 0.063 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 | VGS=10V, ID=5A | --- | 38 | 52 | mΩ |
| VGS=4,5 V, ID=4A | --- | 55 | 75 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =250uA | 1 | 2 | 3 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Coeficiente de temperatura | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=5V, ID=4A | --- | 28 | --- | S |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.8 | 4.3 | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (4,5 V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A | --- | 19 | 25 | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 2.6 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 4.1 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=30V, VGS=10V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 3 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 34 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 23 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 6 | --- | ||
| ciss | Capacitancia de entrada | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1027 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 65 | --- | ||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 45 | --- |
