WSR200N08 MOSFET WINSOK de canal N 80V 200A TO-220-3L

breve descripción:

Número de modelo:WSR200N08

BVDSS:80V

RDSON:2,9 mΩ

IDENTIFICACIÓN:200A

Canal:canal N

Paquete:TO-220-3L

Resumen del producto:El MOSFET WSR200N08 puede manejar hasta 80 voltios y 200 amperios con una resistencia de 2,9 miliohmios. Es un dispositivo de canal N y viene en un paquete TO-220-3L.

Aplicaciones:Cigarrillos electrónicos, cargadores inalámbricos, motores, sistemas de gestión de baterías, fuentes de energía de respaldo, vehículos aéreos no tripulados, dispositivos sanitarios, equipos de carga de vehículos eléctricos, unidades de control, máquinas de impresión 3D, dispositivos electrónicos, pequeños electrodomésticos y electrónica de consumo.

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Descripción General

El WSR200N08 es el MOSFET N-Ch de trinchera de mayor rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RDSON y carga de compuerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidor reductor síncrono. El WSR200N08 cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos, 100% EAS garantizado con confiabilidad de función completa aprobada.

Características

Tecnología avanzada de trinchera de alta densidad celular, carga de puerta súper baja, excelente disminución del efecto CdV/dt, 100% EAS garantizado, dispositivo ecológico disponible.

Aplicaciones

Aplicación de conmutación, Gestión de energía para sistemas Inverter, Cigarrillos electrónicos, carga inalámbrica, motores, BMS, fuentes de alimentación de emergencia, drones, medicina, carga de automóviles, controladores, impresoras 3D, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo, etc.

número de material correspondiente

AO AOT480L, EN FDP032N08B,ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, etc.

Parámetros importantes

Características eléctricas (TJ=25 ℃, a menos que se indique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Clasificación	Unidades
VDS	Voltaje de drenaje-fuente	80	V
VGS	Voltaje puerta-fuente	±25	V
ID @ TC = 25 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1	200	A
ID @ TC = 100 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Corriente de drenaje pulsada2,TC=25°C	790	A
EAS	Energía de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH	1496	mJ
NIC	Corriente de avalancha, pulso único, L = 0,5 mH	200	A
PD@TC=25℃	Disipación total de energía4	345	W
PD@TC=100℃	Disipación total de energía4	173	W
TSTG	Rango de temperatura de almacenamiento	-55 a 175	℃
TJ	Rango de temperatura de funcionamiento de la unión	175	℃

Símbolo	Parámetro	Condiciones	Mín.	Tipo.	Máx.	Unidad
BVDSS	Voltaje de ruptura drenaje-fuente	VGS=0V, ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referencia a 25℃, ID=1mA	---	0.096	---	V/℃
RDS (encendido)	Resistencia activada de fuente de drenaje estática2	VGS=10V,ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(ésimo)	Voltaje de umbral de puerta	VGS=VDS, identificación =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) Coeficiente de temperatura	VGS=VDS, identificación =250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Corriente de fuga de la fuente de drenaje	VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corriente de fuga de la fuente de drenaje	VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Corriente de fuga puerta-fuente	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Resistencia de la puerta	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Carga total de la puerta (10 V)	VDS=80V, VGS=10V, ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	Cargo puerta-fuente		---	31	---
Qgd	Carga de drenaje de puerta		---	75	---
Td(encendido)	Tiempo de retardo de encendido	VDD=50V, VGS=10V, RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	tiempo de subida		---	18	---
Td(apagado)	Tiempo de retardo de apagado		---	42	---
Tf	tiempo de otoño		---	54	---
ciss	Capacitancia de entrada	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	8154	---	pF
cos	Capacitancia de salida		---	1029	---
crss	Capacitancia de transferencia inversa		---	650	---