WST2011 MOSFET WINSOK de doble canal P -20V -3.2A SOT-23-6L
Descripción General
Los MOSFET WST2011 son los transistores P-ch más avanzados disponibles y presentan una densidad de celda incomparable. Ofrecen un rendimiento excepcional, con RDSON y carga de puerta bajos, lo que los hace ideales para aplicaciones de conmutación de potencia y de conmutación de carga pequeñas. Además, el WST2011 cumple con los estándares RoHS y de productos ecológicos y cuenta con la aprobación de confiabilidad de todas las funciones.
Características
La tecnología avanzada de Trench permite una mayor densidad de células, lo que da como resultado un dispositivo ecológico con una carga de puerta súper baja y una excelente disminución del efecto CdV/dt.
Aplicaciones
La conmutación de potencia pequeña síncrona de punto de carga de alta frecuencia es adecuada para su uso en MB/NB/UMPC/VGA, sistemas de alimentación CC-CC en red, interruptores de carga, cigarrillos electrónicos, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos y electrónica de consumo. .
número de material correspondiente
EN FDC634P, VISHAY Si3443DDV, NXP PMDT670UPE,
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades | |
| 10 | Estado estable | |||
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | -20 | V | |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±12 | V | |
| Identificación @ TA = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ -4.5V1 | -3.6 | -3.2 | A |
| Identificación @ TA = 70 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ -4.5V1 | -2.6 | -2.4 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Disipación total de energía3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70℃ | Disipación total de energía3 | 1.2 | 0,9 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ | |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ | |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25 ℃, ID = -1 mA | --- | -0.011 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 | VGS=-4,5 V, ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =-250uA | -0,5 | -1.0 | -1,5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Coeficiente de temperatura | --- | 3.95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=-16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=-5V, ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Carga total de la puerta (-4,5 V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=-15V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 9.3 | --- | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 3.6 | --- | ||
| ciss | Capacitancia de entrada | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 95 | --- | ||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 68 | --- |
