WST2078 N&P Canal 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L MOSFET WINSOK

Breve descripción:

Número de modelo:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

IDENTIFICACIÓN:3,8A/-4,5A

Canal:Canal N&P

Paquete:SOT-23-6L

Resumen del producto:El MOSFET WST2078 tiene tensiones nominales de 20 V y -20 V.Puede manejar corrientes de 3,8 A y -4,5 A y tiene valores de resistencia de 45 mΩ y 65 mΩ.El MOSFET tiene capacidades de canal N&P y viene en un paquete SOT-23-6L.

Aplicaciones:Cigarrillos electrónicos, controladores, productos digitales, electrodomésticos y electrónica de consumo.

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Descripción general

El WST2078 es el mejor MOSFET para pequeños interruptores de potencia y aplicaciones de carga.Tiene una alta densidad de celdas que proporciona un excelente RDSON y carga de puerta.Cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos y ha sido aprobado para una confiabilidad de funcionamiento total.

Características

Tecnología avanzada con trincheras de alta densidad celular, carga de puerta extremadamente baja y excelente reducción de los efectos Cdv/dt.Este dispositivo también es respetuoso con el medio ambiente.

Aplicaciones

La conmutación de potencia pequeña síncrona de punto de carga de alta frecuencia es perfecta para usar en MB/NB/UMPC/VGA, sistemas de alimentación CC-CC en red, interruptores de carga, cigarrillos electrónicos, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos y consumidores. electrónica.

número de material correspondiente

AOS AO6604 AO6608, VISHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601.

Parámetros importantes

Símbolo	Parámetro	Clasificación		Unidades
Símbolo	Parámetro	Canal N	Canal P	Unidades
VDS	Voltaje de drenaje-fuente	20	-20	V
VGS	Voltaje puerta-fuente	±12	±12	V
ID @ Tc = 25 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS @ 4.5V1	3.8	-4,5	A
ID @ Tc = 70 ℃	Corriente de drenaje continuo, VGS @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Corriente de drenaje pulsada2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Disipación total de energía3	1.4	1.4	W
TSTG	Rango de temperatura de almacenamiento	-55 a 150	-55 a 150	℃
TJ	Rango de temperatura de funcionamiento de la unión	-55 a 150	-55 a 150	℃

Símbolo	Parámetro	Condiciones	Mín.	Tipo.	Máx.	Unidad
BVDSS	Voltaje de ruptura drenaje-fuente	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referencia a 25 ℃, ID = 1 mA	---	0.024	---	V/℃
RDS (encendido)	Resistencia activada de fuente de drenaje estática2	VGS=4,5 V, ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2,5 V, ID=1A	---	60	80
		VGS=1,8 V, ID=1A	---	85	120
VGS(ésimo)	Voltaje de umbral	VGS=VDS, identificación =250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(th)	VGS(th) Coeficiente de temperatura	VGS=VDS, identificación =250uA	---	-2,51	---	mV/℃
IDSS	Corriente de fuga de la fuente de drenaje	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corriente de fuga de la fuente de drenaje	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Corriente de fuga puerta-fuente	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	±100	nA
novias	Transconductancia directa	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Resistencia de la puerta	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Carga total de la puerta (4,5 V)	VDS=10V, VGS=10V, ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Cargo puerta-fuente		---	1.5	---
Qgd	Carga de drenaje de puerta		---	2.1	---
Td(encendido)	Tiempo de retardo de encendido	VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Hora de levantarse		---	13	23
Td(apagado)	Tiempo de retardo de apagado		---	15	28
Tf	Otoño		---	3	5.5
ciss	Capacitancia de entrada	VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz	---	450	---	pF
cos	Capacitancia de salida		---	51	---
crss	Capacitancia de transferencia inversa		---	52	---