WST2078 N&P Canal 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L MOSFET WINSOK
Descripción General
El WST2078 es el mejor MOSFET para pequeños interruptores de potencia y aplicaciones de carga. Tiene una alta densidad de celdas que proporciona un excelente RDSON y carga de puerta. Cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos y ha sido aprobado para una confiabilidad de funcionamiento total.
Características
Tecnología avanzada con trincheras de alta densidad celular, carga de puerta extremadamente baja y excelente reducción de los efectos Cdv/dt. Este dispositivo también es respetuoso con el medio ambiente.
Aplicaciones
La conmutación de potencia pequeña síncrona de punto de carga de alta frecuencia es perfecta para usar en MB/NB/UMPC/VGA, sistemas de alimentación CC-CC en red, interruptores de carga, cigarrillos electrónicos, controladores, productos digitales, pequeños electrodomésticos y consumidores. electrónica.
número de material correspondiente
AOS AO6604 AO6608, VISHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601.
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades | |
| Canal N | Canal P | |||
| VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 20 | -20 | V |
| VGS | Voltaje puerta-fuente | ±12 | ±12 | V |
| ID @ Tc = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ 4.5V1 | 3.8 | -4,5 | A |
| ID @ Tc = 70 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ 4.5V1 | 2.8 | -2.6 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | 20 | -13 | A |
| PD@TA=25℃ | Disipación total de energía3 | 1.4 | 1.4 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25 ℃, ID = 1 mA | --- | 0.024 | --- | V/℃ |
| RDS (encendido) | Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 | VGS=4,5 V, ID=3A | --- | 45 | 55 | mΩ |
| VGS=2,5 V, ID=1A | --- | 60 | 80 | |||
| VGS=1,8 V, ID=1A | --- | 85 | 120 | |||
| VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =250uA | 0,5 | 0,7 | 1 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Coeficiente de temperatura | --- | -2,51 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±8V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| novias | Transconductancia directa | VDS=5V, ID=1A | --- | 8 | --- | S |
| Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.5 | 3.5 | Ω |
| Qg | Carga total de la puerta (4,5 V) | VDS=10V, VGS=10V, ID=3A | --- | 7.8 | --- | nC |
| Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 1.5 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 2.1 | --- | ||
| Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω | --- | 2.4 | 4.3 | ns |
| Tr | tiempo de subida | --- | 13 | 23 | ||
| Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 15 | 28 | ||
| Tf | tiempo de otoño | --- | 3 | 5.5 | ||
| ciss | Capacitancia de entrada | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 450 | --- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | --- | 51 | --- | ||
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 52 | --- |
