WST8205 MOSFET WINSOK de doble canal N 20V 5.8A SOT-23-6L

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WST8205 MOSFET WINSOK de doble canal N 20V 5.8A SOT-23-6L

breve descripción:


  • Número de modelo:WST8205
  • BVDSS:20V
  • RDSON:24mΩ
  • IDENTIFICACIÓN:5.8A
  • Canal:Canal N dual
  • Paquete:SOT-23-6L
  • Resumen del producto:El MOSFET WST8205 funciona a 20 voltios, sostiene 5,8 amperios de corriente y tiene una resistencia de 24 miliohmios. El MOSFET consta de un canal N dual y está empaquetado en SOT-23-6L.
  • Aplicaciones:Electrónica automotriz, luces LED, audio, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo, tableros protectores.
  • Detalle del producto

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    Etiquetas de producto

    Descripción General

    El WST8205 es un MOSFET N-Ch de trinchera de alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RDSON y carga de compuerta para la mayoría de las aplicaciones pequeñas de conmutación de potencia y carga. El WST8205 cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos con aprobación de confiabilidad funcional total.

    Características

    Nuestra avanzada tecnología incorpora características innovadoras que distinguen a este dispositivo de otros en el mercado. Con zanjas de alta densidad de células, esta tecnología permite una mayor integración de componentes, lo que conduce a un mejor rendimiento y eficiencia. Una ventaja notable de este dispositivo es su carga de puerta extremadamente baja. Como resultado, requiere una energía mínima para cambiar entre sus estados de encendido y apagado, lo que resulta en un consumo de energía reducido y una eficiencia general mejorada. Esta característica de carga de puerta baja lo convierte en una opción ideal para aplicaciones que exigen conmutación de alta velocidad y control preciso. Además, nuestro dispositivo destaca en la reducción de los efectos Cdv/dt. Cdv/dt, o la tasa de cambio del voltaje drenaje-fuente a lo largo del tiempo, puede causar efectos indeseables como picos de voltaje e interferencias electromagnéticas. Al minimizar eficazmente estos efectos, nuestro dispositivo garantiza un funcionamiento fiable y estable, incluso en entornos exigentes y dinámicos. Además de su destreza técnica, este dispositivo también es respetuoso con el medio ambiente. Está diseñado teniendo en cuenta la sostenibilidad, teniendo en cuenta factores como la eficiencia energética y la longevidad. Al operar con la máxima eficiencia energética, este dispositivo minimiza su huella de carbono y contribuye a un futuro más ecológico. En resumen, nuestro dispositivo combina tecnología avanzada con zanjas de alta densidad celular, carga de puerta extremadamente baja y una excelente reducción de los efectos Cdv/dt. Con su diseño respetuoso con el medio ambiente, no sólo ofrece un rendimiento y una eficiencia superiores, sino que también se alinea con la creciente necesidad de soluciones sostenibles en el mundo actual.

    Aplicaciones

    Conmutación de potencia pequeña síncrona de punto de carga de alta frecuencia para redes MB/NB/UMPC/VGA Sistema de alimentación CC-CC, electrónica automotriz, luces LED, audio, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo, tableros protectores.

    número de material correspondiente

    AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.

    Parámetros importantes

    Símbolo Parámetro Clasificación Unidades
    VDS Voltaje de drenaje-fuente 20 V
    VGS Voltaje puerta-fuente ±12 V
    ID @ Tc = 25 ℃ Corriente de drenaje continuo, VGS @ 4.5V1 5.8 A
    ID @ Tc = 70 ℃ Corriente de drenaje continuo, VGS @ 4.5V1 3.8 A
    IDM Corriente de drenaje pulsada2 16 A
    PD@TA=25℃ Disipación total de energía3 2.1 W
    TSTG Rango de temperatura de almacenamiento -55 a 150
    TJ Rango de temperatura de funcionamiento de la unión -55 a 150
    Símbolo Parámetro Condiciones Mín. Tipo. Máx. Unidad
    BVDSS Voltaje de ruptura drenaje-fuente VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficiente de temperatura BVDSS Referencia a 25 ℃, ID = 1 mA --- 0.022 --- V/℃
    RDS (encendido) Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 VGS=4,5 V, ID=5,5 A --- 24 28
           
        VGS=2,5 V, ID=3,5 A --- 30 45  
    VGS(ésimo) Voltaje de umbral de puerta VGS=VDS, identificación =250uA 0,5 0,7 1.2 V
               
    △VGS(th) VGS(th) Coeficiente de temperatura   --- -2.33 --- mV/℃
    IDSS Corriente de fuga de la fuente de drenaje VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Corriente de fuga puerta-fuente VGS=±12V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    novias Transconductancia directa VDS=5V, ID=5A --- 25 --- S
    Rg Resistencia de la puerta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg Carga total de la puerta (4,5 V) VDS=10V, VGS=4,5V, ID=5,5A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Cargo puerta-fuente --- 1.4 2.0
    Qgd Carga de drenaje de puerta --- 2.2 3.2
    Td(encendido) Tiempo de retardo de encendido VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr tiempo de subida --- 34 63
    Td(apagado) Tiempo de retardo de apagado --- 22 46
    Tf tiempo de otoño --- 9.0 18.4
    ciss Capacitancia de entrada VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz --- 625 889 pF
    cos Capacitancia de salida --- 69 98
    crss Capacitancia de transferencia inversa --- 61 88

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