WST8205 MOSFET WINSOK de doble canal N 20V 5.8A SOT-23-6L
Descripción General
El WST8205 es un MOSFET N-Ch de trinchera de alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RDSON y carga de compuerta para la mayoría de las aplicaciones pequeñas de conmutación de potencia y carga. El WST8205 cumple con los requisitos de RoHS y productos ecológicos con aprobación de confiabilidad funcional total.
Características
Nuestra avanzada tecnología incorpora características innovadoras que distinguen a este dispositivo de otros en el mercado. Con zanjas de alta densidad de células, esta tecnología permite una mayor integración de componentes, lo que conduce a un mejor rendimiento y eficiencia. Una ventaja notable de este dispositivo es su carga de puerta extremadamente baja. Como resultado, requiere una energía mínima para cambiar entre sus estados de encendido y apagado, lo que resulta en un consumo de energía reducido y una eficiencia general mejorada. Esta característica de carga de puerta baja lo convierte en una opción ideal para aplicaciones que exigen conmutación de alta velocidad y control preciso. Además, nuestro dispositivo destaca en la reducción de los efectos Cdv/dt. Cdv/dt, o la tasa de cambio del voltaje drenaje-fuente a lo largo del tiempo, puede causar efectos indeseables como picos de voltaje e interferencias electromagnéticas. Al minimizar eficazmente estos efectos, nuestro dispositivo garantiza un funcionamiento fiable y estable, incluso en entornos exigentes y dinámicos. Además de su destreza técnica, este dispositivo también es respetuoso con el medio ambiente. Está diseñado teniendo en cuenta la sostenibilidad, teniendo en cuenta factores como la eficiencia energética y la longevidad. Al operar con la máxima eficiencia energética, este dispositivo minimiza su huella de carbono y contribuye a un futuro más ecológico. En resumen, nuestro dispositivo combina tecnología avanzada con zanjas de alta densidad celular, carga de puerta extremadamente baja y una excelente reducción de los efectos Cdv/dt. Con su diseño respetuoso con el medio ambiente, no sólo ofrece un rendimiento y una eficiencia superiores, sino que también se alinea con la creciente necesidad de soluciones sostenibles en el mundo actual.
Aplicaciones
Conmutación de potencia pequeña síncrona de punto de carga de alta frecuencia para redes MB/NB/UMPC/VGA Sistema de alimentación CC-CC, electrónica automotriz, luces LED, audio, productos digitales, pequeños electrodomésticos, electrónica de consumo, tableros protectores.
número de material correspondiente
AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.
Parámetros importantes
Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
VDS | Voltaje de drenaje-fuente | 20 | V |
VGS | Voltaje puerta-fuente | ±12 | V |
ID @ Tc = 25 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ 4.5V1 | 5.8 | A |
ID @ Tc = 70 ℃ | Corriente de drenaje continuo, VGS @ 4.5V1 | 3.8 | A |
IDM | Corriente de drenaje pulsada2 | 16 | A |
PD@TA=25℃ | Disipación total de energía3 | 2.1 | W |
TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión | -55 a 150 | ℃ |
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
BVDSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25 ℃, ID = 1 mA | --- | 0.022 | --- | V/℃ |
RDS (encendido) | Resistencia activada de fuente de drenaje estática2 | VGS=4,5 V, ID=5,5 A | --- | 24 | 28 | mΩ |
VGS=2,5 V, ID=3,5 A | --- | 30 | 45 | |||
VGS(ésimo) | Voltaje de umbral de puerta | VGS=VDS, identificación =250uA | 0,5 | 0,7 | 1.2 | V |
△VGS(th) | VGS(th) Coeficiente de temperatura | --- | -2.33 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corriente de fuga de la fuente de drenaje | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Corriente de fuga puerta-fuente | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
novias | Transconductancia directa | VDS=5V, ID=5A | --- | 25 | --- | S |
Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.5 | 3 | Ω |
Qg | Carga total de la puerta (4,5 V) | VDS=10V, VGS=4,5V, ID=5,5A | --- | 8.3 | 11.9 | nC |
Qgs | Cargo puerta-fuente | --- | 1.4 | 2.0 | ||
Qgd | Carga de drenaje de puerta | --- | 2.2 | 3.2 | ||
Td(encendido) | Tiempo de retardo de encendido | VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=5A, RL=10Ω | --- | 5.7 | 11.6 | ns |
Tr | tiempo de subida | --- | 34 | 63 | ||
Td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | --- | 22 | 46 | ||
Tf | tiempo de otoño | --- | 9.0 | 18.4 | ||
ciss | Capacitancia de entrada | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 625 | 889 | pF |
cos | Capacitancia de salida | --- | 69 | 98 | ||
crss | Capacitancia de transferencia inversa | --- | 61 | 88 |